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PIC18F4431-I/PT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PIC18F4431-I/PT
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内容描述: 28 /40/ 44引脚增强型闪存微控制器采用纳瓦技术,高性能PWM和A / D [28/40/44-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology, High-Performance PWM and A/D]
分类和应用: 闪存微控制器
文件页数/大小: 392 页 / 3127 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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PIC18F2331/2431/4331/4431
13.2
Timer1振荡器
13.3
晶体振荡器电路内置在两者之间的引脚, T1OSI
(输入)和T1OSO (放大器输出ER ) 。它是通过使
将控制位T1OSCEN ( T1CON<3> ) 。该振荡器
器的额定频率为32 kHz晶体的低功耗振荡器。它
将继续在所有功耗管理模式下运行。
该电路为典型的LP振荡器示于
显示了电容选择
Timer1振荡器。
用户必须提供软件延时来确保
正确启动Timer1振荡器的。
TIMER1振荡器布线
注意事项
在Timer1振荡器PIC18F2331 / 2431 / 4431分之4331
器件集成了一个额外的低功耗特性。
当选择此选项,它允许振荡器
当自动降低功耗
微控制器处于睡眠模式。在正常的设备
操作时,振荡器绘制全电流。由于高
噪声环境可能造成过度振荡
不稳定性在休眠模式下,这个选项是最适合
低噪声应用中,节能是一个
重要的设计考虑因素。
低功耗选项通过清除启用
T1OSCMX位( CONFIG3L<5> ) 。默认情况下,该选项
处于关闭状态,这导致或多或少的恒定
电流消耗为Timer1振荡器。
由于振荡器的低功耗特性,它可
也敏感地迅速接近变化的信号
接近。
振荡电路,在所示
位于尽可能靠近单片机。
不应该有任何的电路,振荡器内传递
比伏其他电路的边界
SS
或V
DD
。请参阅
了解更多信息
图13-3:
外部元件
为TIMER1 LP
振荡器
PIC18FXXXX
T1OSI
XTAL
32.768千赫
T1OSO
C1
27 pF的
C2
27 pF的
注意:
请参阅使用注意事项
了解更多
关于电容选择的信息。
表13-1:
振荡器类型
LP
电容选择
定时器振荡器
频率
32千赫
C1
27 pF的
(1)
C2
27 pF的
(1)
注1 :
Microchip建议将该值作为起点
点验证振荡电路。
2:
电容越大越稳定
振荡器性,但同时也增加了
启动时间。
3:
由于每个谐振器/晶振都有其自身
的特性,用户应咨询
谐振器/晶振制造商
适当
of
组件。
4:
电容值仅供设计参考
只。
2010 Microchip的技术公司
DS39616D第133页