PIC16F87XA
3.6
写闪存程序
内存
从缓冲寄存器中的数据传输到该程序
记忆中， EEADR和EEADRH必须指向
在4个字块最后一个单元（ EEADR<1 ： 0> =
“11” ） 。然后下面的事件序列必须是
执行：
1.
2.
3.
将EEPGD控制位（ EECON1<7> ）
写入55h，然后写入AAh写入EECON2 （闪存程序
编程序列）
设置控制位WR （ EECON1<1> ）开始
写操作
FLASH程序存储器只可写，如果
目的地址是在存储器的段是
没有写保护，如位WRT1定义：对WRT0
设备配置字（寄存器14-1 ） 。 FLASH
程序存储器必须被写入4个字块。
一个块由四个单词的顺序
地址，由一个定义的下边界
地址，其中EEADR<1 ： 0> = “00” 。同时，
所有的块写入程序存储器都是因为使用擦除
和写操作。写操作是边沿
对准，并且可以跨边界不会发生。
写程序数据时，它必须首先被装载到
缓冲寄存器（见图3-1） 。这是通过
通过先写的目的地址和EEADR
EEADRH ，然后将数据写入EEDATA和
EEDATH 。之后的地址和数据相继成立，
然后下面的事件序列必须exe-
cuted ：
1.
2.
3.
将EEPGD控制位（ EECON1<7> ）
写入55h，然后写入AAh写入EECON2 （闪存程序
编程序列）
将WR控制位（ EECON1<1> ）
用户必须遵循相同的特定序列到起始
tiate写在程序块中的每个字，令状
荷兰国际集团在序列中的每个程序字（ 00,01,10,11 ） 。
当对最后一个字地进行写入
（ EEADR<1 ： 0> =' 11'）的四个字，块是
自动擦除，并且该缓冲器的内容
寄存器被写入到程序存储器中。
后在“BSF
EECON1,WR“
指令，所述处理器
需要两个周期来设置擦除/写操作。
用户必须将两个
NOP
在WR指令后，
位被置位。由于数据被写入缓冲寄存器，
出现该块的前三个单词的书写
立即发生。该处理器将暂停内部
操作，通常为4毫秒，仅在周期
其中擦除发生（即的硬道理
4个字块） 。这不是休眠模式，因为
时钟和外设将继续运行。后
写周期中，处理器将继续使用
EECON1写指令后的第三条指令。
如果序列被执行以任何其他位置，则
操作将被忽略。
所有四个缓冲寄存器位置
必须
被写入到与
正确的数据。如果只有一个，两个，或三个词都被
以4个字的块写入数据，然后读出
程序存储单元（多个）不被写入到
必须执行。这从亲取数据
克位置（S ）不能被写入，并将其加载到
EEDATA和EEDATH寄存器。的，则序列
事件数据传送到缓冲寄存器必须是
执行。
图3-1：
BLOCK写闪存程序存储器
7
5
EEDATH
0 7
EEDATA
0
FLASH的四个字
被擦除，然后
所有的缓冲区
转移
闪
自动
这个词后，
写
6
块的第一个字
要写入的
8
14
EEADR<1 ： 0>
= ‘
00
’
缓冲寄存器
EEADR<1 ： 0>
= ‘
01
’
14
EEADR<1 ： 0>
= ‘
10
’
14
EEADR<1 ： 0>
= ‘
11
’
14
缓冲寄存器
缓冲寄存器
缓冲寄存器
程序存储器
2001年Microchip的科技公司
超前信息
DS39582A第35页
MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
