PIC16F87XA
3.3
读取数据EEPROM存储器
写入到EEPROM数据存储器中的步骤是：
1.
如果第10步不落实，检查WR位
以看到，如果一个写操作正在进行。
2.写地址EEADR 。确保
地址不大于的存储器大小
该设备。
3.写入的8位数据的值中进行编程
EEDATA寄存器。
4.清除EEPGD位，以指向EEPROM数据
内存。
5.将WREN位使能编程操作。
6.禁止中断（如果启用） 。
7.执行5个特殊指令序列：
• 55h写入EECON2两个步骤（第一个W，
然后EECON2 ）
• AAh写入两个步骤（第一至W EECON2 ，
然后EECON2 ）
•将WR位
8.允许中断（如果使用中断） 。
9.清除WREN位，禁止程序
操作。
10.在写周期完成后，WR位
被清零， EEIF中断标志位被置位。
（ EEIF必须用软件清零）。如果第1步
不落实，那么固件应该检查
对于EEIF要设置或WR清除，以指示
方案周期的结束。
要读取的数据存储位置，用户必须编写
解决EEADR寄存器，清除的EEPGD
控制位（ EECON1<7> ） ，然后将控制位RD
（ EECON1<0> ） 。该数据是在紧接着的下一个可用的
周期， EEDATA寄存器;因此，它可以被读取
中的下一个指令（参见实施例3-1）。 EEDATA会
此值保存至下一次读取或直到它被写入
由用户（在写操作）。
步骤来读取EEPROM数据存储器有：
1.
将地址写入EEADR 。确保
地址不大于的存储器大小
该设备。
清除EEPGD位，以指向EEPROM数据
内存。
将RD位以启动读操作。
阅读来自EEDATA寄存器中的数据。
2.
3.
4.
例3-1：
BSF
BCF
MOVF
MOVWF
BSF
BCF
BSF
BCF
MOVF
读数据EEPROM
;
;
;
;
;
;
;
;
;
;
2银行
数据存储器
地址读
3银行
点数据
内存
EE阅读
2银行
W = EEDATA
STATUS,RP1
STATUS,RP0
DATA_EE_ADDR ，W
EEADR
STATUS,RP0
EECON1,EEPGD
EECON1,RD
STATUS,RP0
EEDATA ，W
例3-2：
数据EEPROM写
;
;等待写入
;完成
;银行2
;数据存储器
;地址写
;数据存储器值
;写
;银行3
;点数据
;内存
;使能写操作
;禁止INT的。
;
;写入55H
;
;寄存器写入AAH
;将WR位
;开始写
;启用INT的。
;禁止写入
3.4
写数据EEPROM存储器
要写入EEPROM数据存储单元，用户必须首先
将地址写入EEADR寄存器和数据
EEDATA寄存器。然后用户必须遵循spe-
cific写入顺序开始写入每个字节。
该操作将不会启动，如果写序列不
完全按照（ 55h写入EECON2 ，将AAh写入
EECON2 ，然后将WR位），每个字节。我们强烈
建议在中断期间，该被禁用
代码段（参见实施例3-2）。
此外，EECON1的WREN位必须设置为
能写。这种机制可以防止意外
写入数据EEPROM由于错误（异常）
代码执行（即，丢失的程序） 。用户应
始终保持WREN位清零时间，除非
更新EEPROM 。 WREN位不会被清除
硬件
一个写序列启动，清除
WREN位将不会影响此写周期。 WR位将
可以被设置，除非WREN位被置抑制。
在写周期完成后，WR位
硬件清零并且EE写完成
中断标志位（ EEIF ）被置位。可以在用户无论是
启用此中断或查询此位。 EEIF必须
通过软件清零。
BSF
BSF
BTFSC
GOTO
BCF
MOVF
MOVWF
MOVF
MOVWF
BSF
BCF
BSF
BCF
MOVLW
MOVWF
MOVLW
MOVWF
BSF
BSF
BCF
STATUS,RP1
STATUS,RP0
EECON,WR1
$-1
STATUS ， RP0
DATA_EE_ADDR ，W
EEADR
DATA_EE_DATA ，W
EEDATA
STATUS,RP0
EECON1,EEPGD
EECON1,WREN
INTCON ， GIE
55h
EECON2
AAH
EECON2
EECON1,WR
INTCON ， GIE
EECON1,WREN
2001年Microchip的科技公司
超前信息
需要
顺序
DS39582A第33页
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