MCP6541/1R/1U/2/3/4
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2,
V
IN-
= V
SS
和R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2 （参照
图1-3 ） 。
参数
推挽输出
高电平输出电压
低电平输出电压
短路电流
注1 ：
2:
3:
4:
V
OH
V
OL
I
SC
I
SC
V
DD
−0.2
—
—
—
—
—
-2.5, +1.5
±30
—
V
SS
+0.2
—
—
V
V
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
条件
I
OUT
= -2毫安，V
DD
= 5V
I
OUT
= 2毫安， V
DD
= 5V
V
DD
= 1.6V （注
4)
V
DD
= 5.5V （注
4)
输入偏移电压是输入参考跳变点的中心（平均值）。输入迟滞的区别
输入参考跳变点之间。
V
HYST
在不同温度下使用V估计
HYST
(T
A
) = V
HYST
+ (T
A
- 25 ° C） TC
1
+ (T
A
- 25°C)
2
TC
2
.
输入偏置电流在温度不用于SC - 70-5封装测试。
限制输出电流绝对最大额定值为30 mA 。
AC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2,
步= 200 mV时，高速= 100 mV时，和C
L
= 36 pF的（参见
和
参数
上升时间
下降时间
传输延迟（高到低）
传输延迟（由低到高）
传播延迟偏斜
最大切换频率
输入噪声电压
注1 ：
符号
t
R
t
F
t
PHL
t
PLH
t
PDS
f
最大
f
最大
E
ni
民
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
0.85
0.85
4
4
±0.2
160
120
200
最大
—
—
8
8
—
—
—
—
单位
µs
µs
µs
µs
µs
千赫
千赫
µV
P-P
V
DD
= 1.6V
V
DD
= 5.5V
条件
10赫兹至100千赫兹
传播延迟偏斜定义为：T
PDS
= t
PLH
- t
PHL
.
MCP6543片选（CS ）特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN
–
= V
SS
,
和C
L
= 36 pF的（参见图1-1和1-3） 。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
CS高规格
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
CS输入高，V
DD
当前
CS输入高电平，接地电流
比较器输出泄漏
CS动态规范
CS低电平到比较器输出低
开启时间
CS高到比较器输出
高阻关断时间
CS迟滞
符号
V
IL
I
CSL
V
IH
I
CSH
I
DD
I
SS
I
O（泄漏）
t
ON
t
关闭
V
CS_HYST
民
V
SS
—
0.8 V
DD
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
5.0
—
1
18
–20
1
2
10
0.6
最大
0.2 V
DD
—
V
DD
—
—
—
—
50
—
—
单位
V
pA
V
pA
pA
pA
pA
ms
µs
V
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
SS
条件
V
OUT
= V
DD
， CS = V
DD
CS = 0.2 V
DD
到V
OUT
= V
DD
/2,
V
IN
– = V
DD
CS = 0.8 V
DD
到V
OUT
= V
DD
/2,
V
IN
– = V
DD
V
DD
= 5V
©
2006年Microchip的科技公司
DS21696E第3页
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