MCP6541/1R/1U/2/3/4
4.0
应用信息
在MCP6541 / 2/ 3/4系列的推挽输出比较
ators制造在Microchip的先进设备，最先进的
CMOS工艺。它们适用于范围广泛的
应用需要非常低的功率消耗。
该电阻器R
1
和R
2
限制得出的可能的电流
从输入引脚。流二极管D
1
和D
2
防止输入
引脚（V
IN
+和V
IN
- ）从去太远高于V
DD
.
当实现如图所示，电阻器R
1
和R
2
还
限制电流到D
1
和D
2
.
V
DD
D
1
V
1
R
1
D
2
V
2
R
2
R
1
≥
R
2
≥
R
3
4.1
4.1.1
比较器输入
反相
+
在MCP6541 / 1R / 1U / 2 /3/4系列比较器的用途
的CMOS晶体管在输入。它们被设计成
防止相位反转当输入引脚电压超过
的电源电压。
示出了输入电压
超过两个电源，没有造成相
反转。
MCP6G0X
–
V
OUT
4.1.2
输入电压和电流
范围
上输入的ESD保护可描绘成
所示
这种结构被选择为亲
TECT输入晶体管，并尽量减少输入偏置
电流（IB ） 。输入ESD二极管钳位输入
下面，当他们试图去超过一个二极管压降
V
SS
。他们还夹住了走得太远任何电压
上述V
DD
;其击穿电压足够高，以
允许正常操作，并且足够低，以绕过防静电
在指定的范围内活动。
BOND
PAD
V
SS
- （最低预期V
1
)
2毫安
V
SS
- （最低预期V
2
)
2毫安
图4-2：
模拟输入保护。
V
DD
另外，也可以将二极管连接到所述左
电阻R
1
和R
2
。在这种情况下，电流通过
在流二极管D
1
和D
2
需要通过其他的限制
机制。电阻器然后用作浪涌电流
限制器;的直流电流流入输入引脚（Ⅴ
IN
+和
V
IN
- ）应该是非常小的。
一个显著的电流能够流出来的
输入时的共模电压（V
CM
）低于
地面（V
SS
） ;看
应用程序是
高阻抗可能需要限制可用电压
范围内。
V
IN
+邦德
PAD
输入
舞台
BOND
PAD
V
IN
–
4.1.3
V
SS
BOND
PAD
正常工作
图4-1：
结构。
简化的模拟输入ESD
为了防止损坏和/或操作不正常
这些放大器的，它们在电路中必须限制
电流（和电压），在V
IN
+和V
IN
- 引脚（见
在开始时
给出了推荐的方法来保护这些
输入。内部ESD二极管防止输入引脚
(V
IN
+和V
IN
- ）从去得远低于地面，并
该系列器件的输入级采用两个
差动输入级并联： 1工作在低
输入电压和所述其他在高输入电压。同
这种拓扑结构，输入电压为0.3V高于V
DD
和
低于V 0.3V
SS
。因此，输入偏移电压是
在两个V测
SS
- 0.3V和V
DD
+ 0.3V ，以保证
正确的操作。
在MCP6541 / 1R / 1U / 2/ 3/4系列比较器内部设置
迟滞足够小，以保持输入失调
精度（ <7毫伏）和足够大，以消除输出
振荡等等，引起了比较自己的输入噪声
电压（ 200 μV
p-p
).
描述了这种行为。
DS21696E第14页
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