MCP4802/4812/4822
具有扩展温度的电子特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
REF
= 2.048V ，输出缓冲器增益（ G） = 2倍，
R
L
= 5 kΩ到GND ，C
L
= 100 pF的。典型值为+ 125 ° C时测试或仿真。
参数
输出放大器器
输出摆幅
符号
V
OUT
民
—
典型值
0.01〜
V
DD
– 0.04
最大
—
单位
V
条件
精度优于1最低位
为
V
OUT
= 10 mV至（V
DD
–
40毫伏）
相位裕度
压摆率
短路电流
建立时间
PM
SR
I
SC
t
解决
—
—
—
—
66
0.55
17
4.5
—
—
—
—
度（ ° ）C
L
= 400 pF的，R
L
=
V / μs的
mA
µs
在1/2 LSB终值
从1/4至3/4满量程范围
动态性能（注2 ）
DAC至DAC串扰
主要代码跳
故障
数字馈通
模拟串扰
注1 ：
2:
—
—
<10
45
—
—
nV-s表示
nV-s表示
1 LSB各地的主要变化
随身携带（ 0111 ... 1111
1000...0000)
—
—
<10
<10
—
—
nV-s表示
nV-s表示
通过设计保证单调对所有代码。
此参数由设计保证，而不是100 ％测试。
交流特性（ SPI时序规范）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= 2.7V 〜 5.5V ，T
A
= -40至+ 125°C 。
典型值为+ 25°C 。
参数
施密特触发器高层
输入电压
（所有数字输入引脚）
施密特触发器低电平
输入电压
（所有数字输入引脚）
施密特触发器的滞后
输入
输入漏电流
数字引脚电容
（所有输入/输出）
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
CS下降至第一个CLK崛起
EDGE
数据输入建立时间
数据输入保持时间
SCK上升到CS上升保持
时间
注1 ：
符号
V
IH
民
0.7 V
DD
典型值
—
最大
—
单位
V
条件
V
IL
—
—
0.2 V
DD
V
V
HYS
I
泄漏
C
IN
,
C
OUT
F
CLK
t
HI
t
LO
t
CSSR
t
SU
t
HD
t
CHS
—
-1
—
—
15
15
40
15
10
15
0.05 V
DD
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
1
—
20
—
—
—
—
—
—
V
A
pF
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
LDAC = CS = SDI SCK = =
V
DD
或V
SS
V
DD
= 5.0V ，T
A
= +25°C,
f
CLK
= 1兆赫
T
A
= +25°C
仅适用于CS与瀑布
CLK高。
此参数通过设计保证，而不是100 ％测试。
DS22249A第6页
2010 Microchip的技术公司
MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
