MCP41XXX/42XXX
直流特性： 50 kΩ器件
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 2.7V至5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C （ TSSOP器件只能在+ 25 ° C温度范围和
+ 85°C ） 。典型规格代表了V值
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
B
= 0V ，T
A
= +25°C.
参数
变阻器模式
标称阻值
变阻器微分非线性
变阻器积分非线性
变阻器温度系数
滑动端电阻
雨刮器电流
标称电阻匹配
电位器分
决议
单调性
微分非线性
积分非线性
分压器温度系数
满量程误差
零刻度误差
电阻端子
电压范围
电容（C
A
或C
B
)
电容
带宽-3dB
建立时间
电阻的噪声电压
相声
施密特触发器高电平输入电压
施密特触发器低电平输入电压
施密特触发器输入迟滞
低电平输出电压
高电平输出电压
输入漏电流
引脚电容（所有输入/输出）
电源要求
工作电压范围
电源电流，有功
电源电流，静态
电源灵敏度
记
1:
2:
3:
4:
5:
6:
V
DD
I
DDA
I
DDS
PSS
PSS
2.7
—
—
—
—
—
340
0.01
0.0015
0.0015
5.5
500
1
0.0035
0.0035
V
µA
µA
%/%
%/%
V
DD
= 5.5V ， CS = V
SS
, f
SCK
= 10兆赫，
SO =打开，代码FFH
CS ， SHDN ， RS = V
DD
= 5.5V ， SO =开
V
DD
= 4.5V - 5.5V, V
A
= 4.5V ，编码80h
V
DD
= 2.7V - 3.3V, V
A
= 2.7V ，编码80h
C
W
BW
t
S
e
NWB
C
T
V
IH
V
IL
V
HYS
V
OL
V
OH
I
LI
C
IN
, C
OUT
V
A，B ，W
0
—
—
—
—
—
—
0.7V
DD
—
—
—
V
DD
- 0.5
-1
—
—
11
5.6
280
8
20
-95
—
—
0.05V
DD
—
—
—
10
V
DD
—
—
—
—
—
—
—
0.3V
DD
—
0.40
—
+1
—
V
V
µA
pF
I
OL
= 2.1毫安， V
DD
= 5V
I
OH
= -400 μA ，V
DD
= 5V
CS = V
DD
, V
IN
= V
SS
或V
DD
包括V
A
SHDN=0
V
DD
= 5.0V ，T
A
= + 25 ° C，F
c
= 1兆赫
pF
pF
兆赫
µS
纳伏/赫兹÷
dB
V
V
F = 1MHz时，代码= 80H ，见图2-30
F = 1MHz时，代码= 80H ，见图2-30
V
B
= 0V ，测量温度为编码80h ，
输出负载= 30
P
F
V
A
= V
DD
,V
B
= 0V ， ± 1 ％误差带，过渡
从代码00h到编码80h ，输出负载= 30 pF的
V
A
=打开，代码80H ， F = 1千赫
V
A
= V
DD
, V
B
= 0V
N
N
DNL
INL
∆V
W
/∆T
V
WFSE
V
WFSE
V
WZSE
V
WZSE
8
8
-1
-1
—
-1
-1
0
0
—
—
±1/4
±1/4
1
-0.25
-0.35
+0.25
+0.35
—
—
+1
+1
—
0
0
+1
+1
位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
代码FFH ，V
DD
= 5V ，见图2-25
代码FFH ，V
DD
= 3V ，见图2-25
码00H ，V
DD
= 5V ，见图2-25
码00H ，V
DD
= 3V ，见图2-25
R
R- DNL
R- INL
∆R
AB
/∆T
R
W
R
W
I
W
∆R/R
35
-1
-1
—
—
—
-1
—
50
±1/4
±1/4
800
125
175
—
0.2
65
+1
+1
—
175
250
+1
1
kΩ
最低位
最低位
PPM /°C的
Ω
Ω
mA
%
MCP42050只，
P0到P1 ;吨
A
= +25°C
V
DD
= 5.5V ，我
W
= 1毫安，代码00H
V
DD
= 2.7V ，我
W
= 1毫安，代码00H
T
A
= +25°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
PPM / ° C代码80H
动态特性（所有的动态特性采用V
DD
= 5V)
数字输入/输出（ CS ， SCK ， SI ， SO ），参见图2-12 RS和SHDN引脚工作。
V
AB
= V
DD
，在雨刮器没有连接。
变阻器位置非线性度R - INL是从最大电阻和最小范围内测量的理想值之间的偏差
电阻抽头。 R- DNL测量的相对阶跃变化，从连续抽头位置之间的理想。我
W
= V
DD
/ R为
+ 3V或+ 5V为50 kΩ的版本。参见图2-26为测试电路。
INL和DNL在V测量
W
与被配置为分压器或电位器模式的设备。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0V 。 DNL
±1 LSB（最大值）规范的限制规定单调的工作条件。参见图2-25为测试电路。
电阻端子A，B和W无极性限制相对于对方。满量程和零刻度误差测量
用图2-25 。
测量V
W
针，其中所述电压在相邻V
W
销满幅摆动。
电源电流是独立的电流通过电位器。
2003 Microchip的技术公司
DS11195C第3页
MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
