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型号: 93LC46
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内容描述: 1K / 2K / 4K 2.5V Microwire串行EEPROM [1K/2K/4K 2.5V Microwire Serial EEPROM]
分类和应用: 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 20 页 / 330 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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93LC46/56/66
2.0
功能说明
当ORG引脚连接到V
CC
中,( ×16)
组织被选中。当它被连接到
地面上, ( X8 )的组织被选中。指令
,地址和要写入的数据读入
DI引脚上的时钟( CLK )的上升沿。在DO
引脚处于高阻抗状态正常举行时除外
从设备中读取数据,或检查时,
在编程操作期间,就绪/忙状态。
该READY / BUSY状态可以在一个VERI网络版
删除被查询DO管脚/写操作; DO低
表明编程仍在进行中,而
做高表示设备已准备就绪。 DO线
进入在CS的下降沿高阻状态。
上电后,设备会自动在
EWDS模式。因此,一个
EWEN
指令必须是
之前进行的任何
抹去
or
说明会
被执行。
2.4
指令输出的串行数据
在DO引脚寻址的存储器位置。一个虚拟
零位之前的16位( x16组织)或8位
( x8组织的)输出字符串。的输出数据位将
切换在CLK的上升沿,并且是稳定的
在指定的时间延迟(T后
PD
) 。连续读取是
可能的,当CS保持高电平。在内存中的数据会
自动循环到下一个寄存器和输出
顺序。
2.1
启动条件
2.5
擦除/写使能和禁用
( EWEN ,
EWDS )
起始位的检测设备,如果CS和DI是
兼具高相对于CLK的用于正边缘
第一次。
之前检测到启动条件, CS , CLK和DI
在任何组合可以改变(除非是一
启动条件) ,而不会导致任何设备操作
化(读,写,擦除, EWEN , EWDS , ERAL和
WRAL ) 。当CS为高电平时,该装置已不再是
在待机模式。
一个指令到启动条件将只
执行,如果需要的操作码的数量,地址
和数据比特对于任何特定的指令被移入。
在指令执行(即时钟或缩小后
最后需要的地址或数据位) CLK和DI
成为“不关心”位,直到一个新的启动条件是
检测到。
该93LC46 /六十六分之五十六电源在擦除/写禁止
( EWDS )状态。所有的编程模式必须
先进行擦除/写使能( EWEN )指令。
一旦
EWEN
指令被执行,编程
保持启用状态,直到
EWDS
指令被执行
或V
CC
从设备中删除。为了防止
数据的意外干扰,在
EWDS
指令可以
使用禁用所有擦除/写功能,并应
遵循所有编程操作。的执行
指令是独立的两个
EWEN
EWDS
指令。
2.6
抹去
2.2
数据输入/输出( DI / DO )
它可以连接在数据输入和数据输出引脚
在一起。然而,随着这种配置,可以
一个“总线冲突, ”出现了“假零”时
那之前的读取操作中,如果A 0是逻辑高
的水平。在这种条件下的电压电平见于
数据输出是不确定的,并且将取决于相对
的数据输出阻抗与信号源的驱动
A0 。 A0较高的电流源的能力,
在数据输出引脚上的电压越高。
抹去
指令强制试样的所有数据位
田间地址到逻辑“1”状态。 CS为低电平
最后一个地址位的加载。这种下降
CS引脚的触发自定时编程
周期。
DO引脚指示的就绪/忙状态
设备如果CS引脚在至少保持了250 ns后所带来的高
低(T
CSL
) 。 DO为逻辑“ 0”表示编程
明仍在进行中。 DO为逻辑“1 ”表示
在特定网络版地址的寄存器已被删除
并且该设备已准备好执行下一条指令。
擦除周期需要每个字典型4毫秒。
2.3
数据保护
在上电期间,所有的编程操作模式
被禁止,直到V
CC
已经达到一个电平大于
1.4V 。在掉电模式下,源数据保护
电路的作用是抑制所有的编程模式时,
V
CC
已经跌破1.4V标称条件。
该EWEN和EWDS命令授予其他
保护过程中发生意外编程
正常操作。
DS21712B第6页
2004年Microchip的科技公司