24LC256T-I/SN 参数 Datasheet PDF下载

型号：	24LC256T-I/SN
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内容描述：	256K I2C CMOS串行EEPROM [256K I2C CMOS Serial EEPROM]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
文件页数/大小：	26 页 / 465 K
品牌：	MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]

24AA256/24LC256/24FC256

6.0

6.1

写操作

字节写

下面从主启动条件时，

控制代码（ 4位），则芯片选择（ 3比特）和

在R / W位（该位为逻辑低电平）的时钟到

总线由主发送。这表明该

寻址的从接收器的地址高字节

跟从它在产生一个应答位

第九个时钟周期。因此，下一个字节

主机发送的的高位字节

字地址和将被写入的地址

指针24XX256的。下一个字节是最不

显著地址字节。接收后，另一

从24XX256 ，主应答信号

发送器将发送的数据字被写入到所述

寻址的存储位置。该24XX256应答响应

再边沿和控制产生停止

条件。这将启动内部写周期，

在这段时间内， 24XX256不会产生

应答信号（图6-1 ）。如果尝试是

做写入的WP引脚排列高举时，

器件会确认命令，但没有写

会发生周期，将没有数据被写入，并且该设备

会立即接受新的命令。一个字节后

写命令后，内部地址计数器将指向

到地址位置以下的，这就是一个刚

写的。

在收到每一个字，六个低地址

指针位内部递增1 。如果

主机就发出超过64个字节的前

产生停止条件，地址计数器将

翻身和先前接收到的数据都将被覆盖

写的。与字节写操作，一旦停止

接收条件，内部写周期将开始

（图6-2 ）。如果试图写入到阵列

与高举WP引脚，器件会确认

的命令，但是没有写周期发生时，没有数据将

写和会立即接受新的

命令。

6.3

写保护

WP引脚允许用户在写保护整个

阵列（ 0000-7FFF ）时，该引脚连接到V

。如果连接到

写保护被禁用。 WP引脚

采样停止位，每写命令

（图1-1）。在停止位之后改变WP引脚

对写周期的执行没有影响。

注意：

页写操作仅限于书面形式

在单个物理页内的字节，

无论何种

字节数的实际

被写入。物理页边界

起始于整数地址

页缓冲器大小的倍数（或页

大小“），结束于那些地址

的整数倍[页大小 - 1 ] 。如果一个

页写命令试图写

跨越物理页边界时，将

结果是，数据回写到

开始的当前页面（覆盖

数据预先存储的，而不是在那里），

被写入到下一个页面，可能是

的预期。中，因此，有必要对

应用软件，以防止页写

这将试图越过一个操作

页边界。

6.2

页写

写控制字节，字地址和连接的第一个数据

字节被发送到24XX256在大致相同的

方式为一个字节写操作。唯一的例外是，而不是该

产生一个停止条件，主设备发送至

63附加的字节，它们被暂时存储在

片上页缓冲器，并且将被写入到存储器

一旦主器件发送停止条件。

图6-1：

总线活动

主

SDA线

总线活动

字节写

控制

字节

地址

高字节

地址

低字节

数据

1 0 1 0

AAA

2 10

= “无关”位

图6-2：

总线活动

主

SDA线

总线活动

= “无关”位

页写

控制

字节

地址

高字节

地址

低字节

数据字节0

数据字节63

AAA

10 1 0

2 1 0

2005年Microchip的科技公司

DS21203N第9页

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