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W3H264M16E-667B2M 参数 Datasheet PDF下载

W3H264M16E-667B2M图片预览
型号: W3H264M16E-667B2M
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内容描述: [DDR DRAM, 128MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA79, BGA-79]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
文件页数/大小: 28 页 / 1278 K
品牌: MERCURY [ MERCURY UNITED ELECTRONICS INC ]
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W3H264M16E-XB2X  
PRELIMINARY  
FIGURE 2 – PIN CONFIGURATION  
TOP VIEW  
1 2 3 4 5 6 7 8  
VCCQ VCCQ  
UDQS GND GND GND GND LDM  
DQ10 DQ13 GND VCCQ VCCQ GND DQ11  
DQ9  
GND  
UDM  
DQ12  
DQ6  
DQ4  
VREF  
BA0  
A2  
DQ15 DQ8  
DQ14  
A
B
C
D
E
F
A
B
C
D
E
F
UDQS#  
LDQS#  
DQ7  
DQ5  
CK  
DQ0  
DQ2 LDQS GND  
CKE1 ODT1  
VCC  
V
CCQ  
V
CCQ  
V
CCQ  
DQ1  
DQ3  
VCCQ  
VCC  
GND  
RAS# WE#  
BA2 CS0#  
CK# CKE0 ODT0 GND GND  
G
H
J
G
H
J
CAS# BA1  
A10  
A7  
VCC  
A1  
VCC  
GND  
VCC  
A0  
A4  
CS1#  
A6  
A12  
A3  
A5  
A8  
GND  
A9  
VCC  
A11 DNU* GND  
K
K
1 2 3 4 5 6 7 8  
* Ball K7 is reserved for signal A13 on future upgrades.  
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March 2016 © 2016 Microsemi Corporation. All rights reserved.  
Rev. 1  
3
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