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EDI88130CS45NB 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EDI88130CS45NB
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内容描述: [Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDSO32, SOJ-32]
分类和应用: 静态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 10 页 / 1050 K
品牌: MERCURY [ MERCURY UNITED ELECTRONICS INC ]
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EDI88130CS  
FIGURE 2 – TIMING WAVEFORM – READ CYCLES  
tAVAV  
ADDRESS  
CS1#  
tAVQV  
tAVAV  
tE1LQV  
tE1HQZ  
tE1LQX  
ADDRESS  
DATA I/O  
ADDRESS 1  
ADDRESS 2  
tE1HICCL  
tE1LICCH  
Icc  
tE2LICCL  
tE2HQV  
tAVQV  
tAVQX  
CS2  
tE2HICCH  
DATA 1  
DATA 2  
tE2HQX  
OE#  
READ CYCLE 1 (WE# HIGH; OE#, CS# LOW)  
tGLQV  
tGLQX  
tGHQZ  
DATA I/O  
READ CYCLE 2 (CS1# AND/OR CS2 CONTROLLED, WE# HIGH)  
FIGURE 3 – WRITE CYCLE 1  
tAVAV  
ADDRESS  
tAVWH  
tAVWL  
tWHAX  
tWLWH  
WE#  
CS1#  
CS2  
tE1LWH  
tE2HWH  
tDVWH  
tWHDX  
DATA IN  
tWLQZ  
tWHQX  
DATA OUT  
WRITE CYCLE 1 - LATE WRITE, WE# CONTROLLED  
FIGURE 4 –  
WRITE CYCLES 2  
WRITE CYCLES 3  
tAVAV  
tAVAV  
ADDRESS  
ADDRESS  
tAVE2H  
tAVE1L  
tE2HE2L  
tE2LAX  
tE1LE1H  
tE1HAX  
WE#  
CS1#  
CS2  
WE#  
CS1#  
CS2  
tDVE2L  
tE2LDX  
tDVE1H  
tE1HDX  
DATA I/O  
DATA I/O  
WRITE CYCLE 3 – EARLY WRITE, CS2 CONTROLLED  
WRITE CYCLE 2 – EARLY WRITE, CS1# CONTROLLED  
5
4248.15E-0816-ss-EDI88130CS  
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