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EDI88130CS20NI 参数 Datasheet PDF下载

EDI88130CS20NI图片预览
型号: EDI88130CS20NI
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内容描述: [Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDSO32, SOJ-32]
分类和应用: 静态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 10 页 / 1050 K
品牌: MERCURY [ MERCURY UNITED ELECTRONICS INC ]
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EDI88130CS  
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (EDI88130LPS Only)  
-55°C TA +125°C  
Characteristic  
Low Power Version only  
Sym  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Data Retention Voltage  
VCC  
ICCDR  
TCDR  
TR  
VCC = 2.0V  
CS1# VCC -0.2V and/or CS2 VSS +0.2V  
VIN VCC -0.2V  
2
0.5  
2
V
Data Retention Quiescent Current  
Chip Disable to Data Retention Time (1)  
Operation Recovery Time (1)  
0
mA  
ns  
or VIN 0.2V  
Tavav*  
ns  
NOTE:  
1. Parameter guaranteed by design, but not tested.  
* Read Cycle Time  
FIGURE 5 – DATA RETENTION – CS1# CONTROLLED  
Data Retention Mode  
4.5V  
4.5V  
Vcc  
VCC  
tCDR  
tR  
CS1#  
CS1# ≥ VCC -0.2V  
DATA RETENTION, CS1# CONTROLLED  
FIGURE 6 – DATA RETENTION – CS2 CONTROLLED  
Data Retention Mode  
4.5V  
4.5V  
Vcc  
VCC  
tCDR  
tR  
CS2  
CS2 0.2V  
DATA RETENTION, CS2 CONTROLLED  
6
4248.15E-0816-ss-EDI88130CS  
Mercury Corp. - Memory and Storage Solutions • (602) 437-1520 • www.mrcy.com