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EDI88130CS20NI 参数 Datasheet PDF下载

EDI88130CS20NI图片预览
型号: EDI88130CS20NI
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内容描述: [Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDSO32, SOJ-32]
分类和应用: 静态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 10 页 / 1050 K
品牌: MERCURY [ MERCURY UNITED ELECTRONICS INC ]
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EDI88130CS  
AC CHARACTERISTICS – WRITE CYCLE (15 to 20ns)  
VCC = 5.0V, Vss = 0V, -55°C TA +125°C  
Symbol  
JEDEC  
15ns*  
17ns  
20ns  
Parameter  
Alt.  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Units  
Write Cycle Time  
tAVAV  
tWC  
15  
17  
20  
ns  
Chip Enable to End of Write  
tE1LWH  
tE1LE1H  
tE2HWH  
tE2HE2L  
tCW  
tCW  
tCW  
tCW  
12  
12  
12  
12  
13  
13  
13  
13  
15  
15  
15  
15  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Setup Time  
tAVWL  
tAVE1L  
tAVE2H  
tAS  
tAS  
tAS  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
ns  
ns  
ns  
Address Valid to End of Write  
Write Pulse Width  
tAVWH  
tAW  
12  
13  
15  
ns  
tWLWH  
tWLE1H  
tWLE2L  
tWP  
tWP  
tWP  
12  
12  
12  
13  
13  
13  
15  
15  
15  
ns  
ns  
ns  
Write Recovery Time  
Data Hold Time  
tWHAX  
tE1HAX  
tE2LAX  
tWHDX  
tE1HDX  
tE2LDX  
tWR  
tWR  
tWR  
tDH  
tDH  
tDH  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Write to Output in High Z (1)  
Data to Write Time  
tWLQZ  
tWHZ  
0
7
0
8
0
8
ns  
tDVWH  
tDVE1H  
tDVE2L  
tDW  
tDW  
tDW  
7
7
7
8
8
8
10  
10  
10  
ns  
ns  
ns  
Output Active from End of Write (1)  
tWHQX  
tWLZ  
3
3
3
ns  
1. This parameter is guaranteed by design but not tested.  
AC CHARACTERISTICS – WRITE CYCLE (25 to 55ns)  
VCC = 5.0V, Vss = 0V, -55°C TA +125°C  
Symbol  
JEDEC  
tAVAV  
tE1LWH  
tE1LE1H  
tE2HWH  
tE2HE2L  
25ns  
35ns  
45ns  
55ns  
Max  
Parameter  
Write Cycle Time  
Chip Enable to End of Write  
Alt.  
tWC  
tCW  
tCW  
tCW  
tCW  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
55  
45  
Units  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
25  
20  
35  
25  
45  
35  
16  
16  
20  
20  
25  
25  
40  
40  
16  
20  
25  
40  
Address Setup Time  
tAVWL  
tAVE1L  
tAVE2H  
tAS  
tAS  
tAS  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
ns  
ns  
ns  
Address Valid to End of Write  
Write Pulse Width  
tAVWH  
tAVEH  
tWLWH  
tWLE1H  
tWLE2L  
tAW  
tAW  
tWP  
tWP  
tWP  
20  
20  
20  
20  
20  
25  
25  
30  
30  
30  
35  
35  
30  
30  
30  
45  
45  
35  
35  
35  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Write Recovery Time  
Data Hold Time  
tWHAX  
tE1HAX  
tE2LAX  
tWHDX  
tE1HDX  
tE2LDX  
tWR  
tWR  
tWR  
tDH  
tDH  
tDH  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
5
5
5
0
0
0
5
5
5
0
0
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Write to Output in High Z (1)  
Data to Write Time  
tWLQZ  
tWHZ  
0
10  
0
13  
0
15  
0
20  
ns  
tDVWH  
tDVE1H  
tDVE2L  
tDW  
tDW  
tDW  
15  
15  
15  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
25  
25  
25  
ns  
ns  
ns  
Output Active from End of Write (1)  
tWHQX  
tWLZ  
3
3
3
3
ns  
1. This parameter is guaranteed by design but not tested.  
4
4248.15E-0816-ss-EDI88130CS  
Mercury Corp. - Memory and Storage Solutions • (602) 437-1520 • www.mrcy.com