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    EDI88130CS20NI 参数 Datasheet PDF下载

    EDI88130CS20NI图片预览
    型号： EDI88130CS20NI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDSO32, SOJ-32]
    分类和应用： 静态存储器内存集成电路
    文件页数/大小： 10 页 / 1050 K
    品牌： MERCURY [ MERCURY UNITED ELECTRONICS INC ]
     浏览型号EDI88130CS20NI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号EDI88130CS20NI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDI88130CS20NI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDI88130CS20NI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDI88130CS20NI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDI88130CS20NI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EDI88130CS20NI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EDI88130CS20NI的Datasheet PDF文件第9页  
    EDI88130CS  
    AC CHARACTERISTICS – WRITE CYCLE (15 to 20ns)  
    VCC = 5.0V, Vss = 0V, -55°C ≤ TA ≤ +125°C  
    Symbol  
    JEDEC  
    15ns*  
    17ns  
    20ns  
    Parameter  
    Alt.  
    Min  
    Max  
    Min  
    Max  
    Min  
    Max  
    Units  
    Write Cycle Time  
    tAVAV  
    tWC  
    15  
    17  
    20  
    ns  
    Chip Enable to End of Write  
    tE1LWH  
    tE1LE1H  
    tE2HWH  
    tE2HE2L  
    tCW  
    tCW  
    tCW  
    tCW  
    12  
    12  
    12  
    12  
    13  
    13  
    13  
    13  
    15  
    15  
    15  
    15  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    Address Setup Time  
    tAVWL  
    tAVE1L  
    tAVE2H  
    tAS  
    tAS  
    tAS  
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    ns  
    ns  
    ns  
    Address Valid to End of Write  
    Write Pulse Width  
    tAVWH  
    tAW  
    12  
    13  
    15  
    ns  
    tWLWH  
    tWLE1H  
    tWLE2L  
    tWP  
    tWP  
    tWP  
    12  
    12  
    12  
    13  
    13  
    13  
    15  
    15  
    15  
    ns  
    ns  
    ns  
    Write Recovery Time  
    Data Hold Time  
    tWHAX  
    tE1HAX  
    tE2LAX  
    tWHDX  
    tE1HDX  
    tE2LDX  
    tWR  
    tWR  
    tWR  
    tDH  
    tDH  
    tDH  
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    Write to Output in High Z (1)  
    Data to Write Time  
    tWLQZ  
    tWHZ  
    0
    7
    0
    8
    0
    8
    ns  
    tDVWH  
    tDVE1H  
    tDVE2L  
    tDW  
    tDW  
    tDW  
    7
    7
    7
    8
    8
    8
    10  
    10  
    10  
    ns  
    ns  
    ns  
    Output Active from End of Write (1)  
    tWHQX  
    tWLZ  
    3
    3
    3
    ns  
    1. This parameter is guaranteed by design but not tested.  
    AC CHARACTERISTICS – WRITE CYCLE (25 to 55ns)  
    VCC = 5.0V, Vss = 0V, -55°C ≤ TA ≤ +125°C  
    Symbol  
    JEDEC  
    tAVAV  
    tE1LWH  
    tE1LE1H  
    tE2HWH  
    tE2HE2L  
    25ns  
    35ns  
    45ns  
    55ns  
    Max  
    Parameter  
    Write Cycle Time  
    Chip Enable to End of Write  
    Alt.  
    tWC  
    tCW  
    tCW  
    tCW  
    tCW  
    Min  
    Max  
    Min  
    Max  
    Min  
    Max  
    Min  
    55  
    45  
    Units  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    25  
    20  
    35  
    25  
    45  
    35  
    16  
    16  
    20  
    20  
    25  
    25  
    40  
    40  
    16  
    20  
    25  
    40  
    Address Setup Time  
    tAVWL  
    tAVE1L  
    tAVE2H  
    tAS  
    tAS  
    tAS  
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    ns  
    ns  
    ns  
    Address Valid to End of Write  
    Write Pulse Width  
    tAVWH  
    tAVEH  
    tWLWH  
    tWLE1H  
    tWLE2L  
    tAW  
    tAW  
    tWP  
    tWP  
    tWP  
    20  
    20  
    20  
    20  
    20  
    25  
    25  
    30  
    30  
    30  
    35  
    35  
    30  
    30  
    30  
    45  
    45  
    35  
    35  
    35  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    Write Recovery Time  
    Data Hold Time  
    tWHAX  
    tE1HAX  
    tE2LAX  
    tWHDX  
    tE1HDX  
    tE2LDX  
    tWR  
    tWR  
    tWR  
    tDH  
    tDH  
    tDH  
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    5
    5
    5
    0
    0
    0
    5
    5
    5
    0
    0
    0
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    Write to Output in High Z (1)  
    Data to Write Time  
    tWLQZ  
    tWHZ  
    0
    10  
    0
    13  
    0
    15  
    0
    20  
    ns  
    tDVWH  
    tDVE1H  
    tDVE2L  
    tDW  
    tDW  
    tDW  
    15  
    15  
    15  
    20  
    20  
    20  
    20  
    20  
    20  
    25  
    25  
    25  
    ns  
    ns  
    ns  
    Output Active from End of Write (1)  
    tWHQX  
    tWLZ  
    3
    3
    3
    3
    ns  
    1. This parameter is guaranteed by design but not tested.  
    4
    4248.15E-0816-ss-EDI88130CS  
    Mercury Corp. - Memory and Storage Solutions • (602) 437-1520 • www.mrcy.com  

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