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MX29LV040CTC-70G 参数 Datasheet PDF下载

MX29LV040CTC-70G图片预览
型号: MX29LV040CTC-70G
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内容描述: 4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压3V只相当于行业FLASH MEMORY [4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY EQUAL SECTOR FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 52 页 / 485 K
品牌: Macronix [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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MX29LV040C  
AC CHARACTERISTICS  
TA = -40oC to 85oC, VCC = 2.7V~3.6V  
Table 10. Erase/Program Operations  
29LV040C-55R 29LV040C-70  
29LV040C-90  
SYMBOL PARAMETER  
MIN.  
55  
0
MAX.  
MIN. MAX.  
MIN.  
90  
0
MAX.  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tWC  
tAS  
Write Cycle Time (Note 1)  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
70  
0
tAH  
45  
35  
0
45  
35  
0
45  
45  
0
tDS  
Data Setup Time  
tDH  
Data Hold Time  
tOES  
tGHWL  
Output Enable Setup Time  
Read Recovery Time Before Write  
(OE# High to WE# Low)  
CE# Setup Time  
0
0
0
0
0
0
tCS  
0
0
0
ns  
ns  
ns  
ns  
us  
sec  
us  
us  
tCH  
CE# Hold Time  
0
0
0
tWP  
tWPH  
Write Pulse Width  
35  
35  
35  
Write Pulse Width High  
30  
30  
30  
tWHWH1 ProgrammingOperation(Note2)  
tWHWH2 Sector Erase Operation (Note 2)  
9(TYP.)  
9(TYP.)  
0.7(TYP.)  
50  
9(TYP.)  
0.7(TYP.)  
50  
0.7(TYP.)  
50  
tVCS  
tBAL  
VCC Setup Time (Note 1)  
Sector Address Load Time  
50  
50  
50  
NOTES:  
1. Not 100% tested.  
2. See the "Erase and Programming Performance" section for more information.  
P/N:PM1149  
REV. 1.3, APR. 24, 2006  
22  
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