-5V / -12V / -15V或可调，
高效率，低I
Q
反相DC -DC控制器
MAX774/MAX775/MAX776
MAX776-FIG08
V
OUT
= -15V
R
SENSE
= 0.05Ω
R
SENSE
= 0.06Ω
R
SENSE
= 0.07Ω
V
OUT
= -24V
R
SENSE
= 0.05Ω
R
SENSE
= 0.06Ω
R
SENSE
= 0.07Ω
最大输出电流（毫安）
600
500
400
300
200
100
3
最大输出电流（毫安）
600
400
200
R
SENSE
= 0.08Ω
R
SENSE
= 0.09Ω
0
3 4
5 6
7 8 9 10 11 12 13 14 15
输入电压（ V）
R
SENSE
= 0.08Ω
R
SENSE
= 0.09Ω
4
5
6
输入电压（ V）
7
图8. MAX776最大输出电流与输入电压
(V
OUT
= -15V)
图9. MAX774 / MAX775 / MAX776最大输出电流
- 输入电压（V
OUT
= -24V)
选择合适的电流检测电阻，只需请遵循
以下低两个步骤概述。
1 ）确定：
•输入电压范围，V +
•最大（绝对值）的输出电压，V
OUT
•最大输出电流I
负载
例如，让V +范围从4V到6V ，并选择
V
OUT
= -24V我
OUT
= 150mA电流。
2）接着，参考图9 ，找到与所述曲线
最低电流限制其输出电流（与
最低输入电压）满足您的要求。
在我们的例子中，我们希望有一个曲线，在那里我
OUT
是>150毫安
用4V的输入和一个-24V的输出。
第r
SENSE
= 80mΩ （图9中示出）只示出了
大约输出电流与输入4V 125mA的，
让我们看看接下来在R
SENSE
= 70mΩ线。这表明
I
OUT
>150毫安为V + = 4V和V
OUT
= -24V 。该电流
租金上限将是0.210V / 0.070Ω = 3A 。这些曲线
考虑到最坏情况下的电感（ ±10％）和
电流检测行程的水平，而不是检流电阻的容
ANCE 。上的电阻开关是70mΩ 。
标准绕线和金属膜电阻器有
电感高到足以降低性能。
金属膜电阻器通常沉积在陶瓷
棒以螺旋，使得他们的电感比较高。
表面贴装（或芯片）电阻非常小电感
tance并且非常适合于用作电流检测
电阻器。如果你想使用通孔电阻器， IRC
具有金属丝的电阻是简单地金属带
形状为“U”形，使电感小于10nH到
（比金属膜电阻大小更小的顺序） 。
这些都是在之间的电阻值可
5mΩ的和0.1Ω 。
外部开关晶体管
该MAX774 / MAX775 / MAX776能够驱动
只有P沟道增强型MOSFET晶体管。
功率晶体管的选择由输入决定，并且
输出电压，额定峰值电流，导通电阻，栅极
源阈值和栅极电容。漏 -
来源额定值必须大于V + - V
OUT
输入 - 输出电压差。栅极 - 源极
等级必须大于V + （源极电压）加
的EXT的大部分负向摆动的绝对值。
自举工作模式，其中最负摆幅
EXT为V
OUT
。在非自举运作，这可能
被研磨或一些其它负电压。门capac-
itance通常不是一个限制因素，但值应
小于1nF的最佳效率。为了获得最大的艾菲
效率时，MOSFET应具有非常低的电阻
tance在峰值电流，并能够处理
该电流。选作典型能操作的晶体管
阿婷电路具有30V的漏极 - 源极电压限制和
就在V电阻0.07Ω的漏 - 源
GS
= -10V.
表1列出了供应商的切换适合的晶体管
用于与MAX774 / MAX775 / MAX776使用。
______________________________________________________________________________________
MAX776-FIG09
700
800
13
MAXIM [ MAXIM INTEGRATED PRODUCTS ]
