-5V / -12V / -15V或可调，
高效率，低I
Q
反相DC -DC控制器
0.1µF
R
Z
V
OUT
系统蒸发散，你应该可以看到一个短的电流脉冲的一半
峰值电流每100ms左右（确切
周期取决于实际电路的泄漏） 。
MAX774/MAX775/MAX776
EXT驱动电压
1
R2
OUT
GND
8
2
R1
4
0.1µF
FB
MAX774
MAX775
MAX776
REF
6V
≤
V
Z
+ V
IN
≤
10V
-Vout_
– V
Z
＆ GT ;我
Z
R
Z
I
Z
=齐纳击穿电流
V
Z
=齐纳击穿电压
V
IN
=输入电源电压
从OUT到V + EXT波动，并提供输出驱动器
置于外部的功率MOSFET。当使用该导通
内置反馈电阻预设输出电压，
在OUT的电压等于输出电压。当
使用外部反馈电阻，输出可以被连接到
GND或V之间的一些其他潜在的
OUT
和GND 。
始终遵守V +到OUT绝对最大额定
ING 21V的。对于V +至输出压差大于
21V ，输出必须连接到一个电位比更积极
的输出，因此，输出电压必须是
设置一个外部电阻分压器。
在非自举运作，低输入电压
（ <4V ） ，配合输出为负电压，以全面提升
外部MOSFET 。通过创建一个跨做到这一点
调解电压V
OUT
与齐纳二极管（图5） 。
图5.连接使用齐纳二极管，以提高基本驱动器
__________________Design程序
设置输出电压
该MAX774 / MAX775 / MAX776预设为-5V ， -12V ，
和-15V的输出电压;然而，他们
也可以用外部调整为其他值
分压器。对于预设输出电压，连接
FB到REF和OUT连接到输出（图3 ） 。在
这种情况下，输出电压由输出感测。
可调节的输出（图3和4） ，连接一个
从输出电压到FB的外部电阻分压器，
从FB到REF。在这种情况下，分压后的
输出电压通过FB管脚感测到。
原因有三到使用外部电阻分压器：
1）你希望的输出电压低于预先设定的其他
价值
2 ） 21V输入至输出电压差超过
or
3）输出电压（V
OUT
到GND ）超过-15V 。
对于可调操作，请参阅图3和图4。
反馈网络的阻抗应该低
足够FB的输入偏置电流是不是一个因素。
为了获得最佳的效率和精度，让10μA流
通过网络。计算（V
REF
- V
FB
) / R1 =
10μA 。因为V
REF
= 1.5V和V
FB
= 0V ，R 1变为
150k欧姆。然后计算R2 ，如下所示：
R2 V
OUT
___ = _______
R1
V
REF
（或者， ______ = 10μA ）
V
OUT
R2
11
利用自举或非自举模式将
直接影响到栅极驱动FET 。 EXT波动
从V +到V
OUT
。在自举运作， OUT是
连接到所述输出电压（ -5V ，-12V ， -15V ） 。在
非自举操作中，输出被连接到
地面和EXT现在摆动从V +到地面。
在高输入到输出的差，它可能是neces-
萨利使用非自举模式避免了21V
V +到V
OUT
最大额定值。此外，观察V
GS
外部晶体管的最大额定值。在intermedi-
吃的电压和电流，自举的优点
囊中羞涩与非自举运作是轻微的。
当输入电压低于4V左右，经常使用
自举电路。
关断和静态电流
该MAX774 / MAX775 / MAX776的设计，以节省
功率电池供电的应用。一个TTL / CMOS
逻辑电平关断输入（ SHDN ）已提供
针对最低功耗的应用。当关闭
（SHDN = V +）时，最内部偏置电流源和
基准被关闭，使得小于5μA
当前绘制。
在正常操作下，静态电流将减少
超过100μA 。然而，该电流是由测得的
迫使外部开关晶体管截止。即使没有
负载，在实际应用中，额外电流将
绘制供给的反馈电阻和二极管的
和电容器的漏电流。在无负载条件
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