快速，低电压，双路SPDT 4Ω
CMOS模拟开关
MAX4635/MAX4636
电气特性， + 3V单电源（续）
（V + = + 2.7V至+ 3.6V ，V
IH
= +2.0V, V
IL
= + 0.8V ，T
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
（注2,9 ）
参数
COM_导通漏电流
（注6 ）
数字I / O （ IN1 ， IN2 ）
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏电流
动态
导通时间（注6 ）
t
ON
V
NO_
, V
NC_
= 2V;
C
L
= 35pF ，R
L
= 300Ω,
图1A
V
NO_
, V
NC_
= 2V;
C
L
= 35pF ，R
L
= 300Ω,
图1A
V
NO_
, V
NC_
= 2V;
C
L
= 35pF ，R
L
= 300Ω,
图1b
Q
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
1
11
9
32
-52
-65
-66
-67
0.001
1
dB
dB
pC
pF
pF
7
ns
6
14
18
ns
20
8
ns
10
V
IH
V
IL
I
IH
, I
IL
V
IN
_ = 0或+ 5.5V
-100
5
2.0
0.4
100
V
V
nA
符号
I
COM_ （ON）的
条件
V+ = 3.3V; V
COM_
=1V,
3V; V
NO_
或V
NC_
= 1V,
3V，或浮
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
民
-0.1
-0.3
典型值
±0.01
最大
0.1
nA
0.3
单位
关断时间（注6 ）
t
关闭
先开后合式时间
（注6 ）
电荷注入
NO_ ， NC_关断电容
COM导通电容
关断隔离（注7 ）
串扰（注8）
供应
正电源电流
I+
V
根
= 1.5V ，R
根
= 0, C
L
= 1.0nF ，图2中
C
NO_ （OFF）的
,
V
NO_
, V
NC_
= GND ， F = 1MHz时，图3
C
NC_ （OFF）的
C
COM
（ON）的V
COM
= GND ， F = 1MHz时，图3
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω中，f = 10MHz时，图4中
V
ISO
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω ， F = 1MHz时，图4
V
CT
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω中，f = 10MHz时，图4中
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω ， F = 1MHz时，图4
V+ = 3.6V, V
IN
= 0或+ 3.6V
µA
注2 ：
代数约定，其中最负的值是最小值和最积极的值最大时，采用的是
此数据表。
注3 ：
∆R
ON
= R
开（ MAX）的
- R
开（分钟）
.
注4 ：
∆R
ON
匹配规格QFN封装部件设计保证。
注5 ：
上测量的平整度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
指定模拟信号的范围。
注6 ：
通过设计保证。
注7 ：
关断隔离= 20log
10
(V
COM
/ V
NO
), V
COM
=输出，V
NO
=输入到开关。
注8 ：
任意两个交换机之间。
注9 ：
QFN封装器件在+ 25°C测试，并通过设计和相关性在整个温度范围内保证。
4
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MAXIM [ MAXIM INTEGRATED PRODUCTS ]
