快速，低电压，双路SPDT 4Ω
CMOS模拟开关
电气特性，单+ 5V电源（续）
（V + = + 4.5V至+ 5.5V ，V
IH
= +2.4V, V
IL
= + 0.8V ，T
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
（注2,9 ）
参数
动态
开启时间
（注6 ）
打开-O FF时间
（注6 ）
先开后合式时间
（注6 ）
电荷注入
NO_ ， NC_关断电容
COM_导通电容
关断隔离（注7 ）
串扰（注8）
总谐波失真
供应
正电源电流
I+
V+ = 5.5V, V
IN-
= 0或V +的
0.001
1.0
µA
t
ON
V
NO_
, V
NC_
= 3V;
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ，
图1A
V
NO_
, V
NC_
= 3V;
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ，
图1A
V
NO_
, V
NC_
= 3V;
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ，
图1b
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
1
2
9
32
-52
-65
-66
-67
0.1
pC
pF
pF
dB
dB
%
7
ns
5
12
14
ns
16
6
ns
8
符号
条件
民
典型值
最大
单位
MAX4635/MAX4636
t
关闭
t
BBM
Q
V
根
= 2V ，R
根
= 0, C
L
= 1.0nF ，图2中
C
NO_ （OFF）的
,
V
NO_
, V
NC_
= GND ， F = 1MHz时，图3
C
NC_ （OFF）的
C
COM_ （ON）的
V
COM_
= GND ， F = 1MHz时，图3
V
ISO
V
CT
THD
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω中，f = 10MHz时，图4中
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω ， F = 1MHz时，图4
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω中，f = 10MHz时，图4中
C
L
= 5pF的，R
L
= 50Ω ， F = 1MHz时，图4
R
L
= 600Ω, V
NO_
= 5V
P-P
中，f = 20Hz到20kHz
电气特性， + 3V单电源
（V + = + 2.7V至+ 3.6V ，V
IH
= +2.0V, V
IL
= + 0.8V ，T
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
（注2,9 ）
参数
模拟开关
模拟信号范围
符号
V
COM_
,
V
NO_
,
V
NC_
R
ON
∆R
ON
R
平（ON）的
I
NO_ （ OFF）时，
I
NC_ （OFF）的
ICOM_ （OFF）的
条件
民
典型值
最大
单位
0
V + = 2.7V ，我
COM_
= 10毫安，
V
NO_
或V
NC_
= 0 V +
V + = 2.7V ，我
COM_
= 10毫安，
V
NO_
或V
NC_
= 0 V +
V + = 2.7V ，我
COM_
= 10毫安，
V
NO_
或V
NC_
= 0 V +
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
-0.1
-0.3
-0.1
-0.3
±0.01
±0.01
1.5
0.1
5
V+
5.5
8
0.2
0.4
2
2.5
0.1
0.3
0.1
0.3
V
导通电阻
导通电阻之间的匹配
信道（注3,4）
导通电阻平坦度
（注5 ）
NO_ ， NC_关断漏电流
（注6 ）
COM_关断漏电流
（注6 ）
Ω
Ω
Ω
nA
nA
V+ = 3.3V; V
COM_
= 1V ， 3V ;牛逼
A
= +25°C
V
NO_
或V
NC_
= 3V, 1V
T
A
= T
民
给T
最大
V+ = 3.3V; V
COM_
= 1V ， 3V ;牛逼
A
= +25°C
V
NO_
或V
NC_
= 3V, 1V
T
A
= T
民
给T
最大
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3
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