多量程（ ± 10V ， ± 5V ， + 10V ， + 5V ） ，
单+ 5V ，12位DAS ，8 + 4总线接口
MAX197
电气特性（续）
(V
DD
= 5V ± 5％ ;单极/双极性范围内;外部基准模式下，V
REF
= 4.096V ; 4.7μF在REF引脚;外部时钟，女
CLK
=的2.0MHz
以50％的占空比;牛逼
A
= T
民
给T
最大
除非另有说明）。
参数
电源要求
电源电压
V
DD
正常模式下，双极性范围
电源电流
I
DD
正常模式下，单极性范围
待机省电（ STBYPD ）
完全掉电模式（ FULLPD ） （注7 ）
电源抑制比
（注8）
定时
内部时钟频率
外部时钟频率范围
f
CLK
f
CLK
t
ACQI
采集时间
t
ACQE
转换时间
吞吐率
带隙基准
启动时间
基准缓冲器沉降
t
CONV
内部收购
外部的Clk
内部时钟
C
CLK
= 100pF的
1.25
0.1
3.0
3.0
3.0
5
6.0
6.0
62
200
8
60
2.4
0.8
V
IN
= 0V或V
DD
（注5 ）
V
DD
= 4.75V ，我
SINK
= 1.6毫安
V
DD
= 4.75V ，我
来源
= 1毫安
（注5 ）
V
DD
- 1
15
±10
15
0.4
7.7
10.0
100
µs
kSPS时
µs
ms
5.0
µs
1.56
2.00
2.0
兆赫
兆赫
PSRR
外部基准= 4.096V
内部参考
±
1
/
2
6
700
4.75
5.25
18
10
850
120
±
1
/
2
V
mA
µA
最低位
符号
条件
民
典型值
最大
单位
外部收购（注9 ）
FULLPD或STBYPD后
外部的Clk
内部CLK ，C
CLK
= 100pF的
外部的Clk
内部CLK ，C
CLK
= 100pF的
上电复位（注10 ）
C
REF
= 4.7µF
在0.1mV REF旁路
电容完全放电ç
REF
= 33µF
数字输入
（ D7 - D0 ， CLK ， RD ， WR ， CS ， HBEN ， SHDN ） （注11 ）
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输入电容
输出低电压
输出高电压
三态输出电容
V
INH
V
INL
I
IN
C
IN
V
OL
V
OH
C
OUT
V
V
µA
pF
V
V
pF
数字输出
（ D7 - D4 ， D3 / D11 ， D2 / D10 ， D1 / D9 ， D0 / D8 ， INT ）
4
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