跟踪，可吸入电流，同步buck
控制器，用于DDR存储器及端接电源
MAX1917
典型工作特性（续）
(V+ = 12V, V
OUT
= 1.25V ，T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
电流限制与温度
MAX1917 toc16
电感的峰值和谷值电流
与输入电压电流限制
R
ILIM
= 400kΩ
16
电感电流（ A）
MAX1917 toc17
18
16
14
电流限制（ A）
12
10
8
6
4
2
0
-40
-20
0
20
40
60
80
R
ILIM
= 200kΩ
R
ILIM
= 402kΩ
18
14
I
PEAK
12
I
谷
10
电路图3
8
100
1
3
5
7
9
11
13
15
温度（℃）
V
IN
(V)
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
EN / HSD
DDR
POK
VTT
ILIM
FSEL
REF
GND
VTTR
V+
VL
DL
保护地
BST
DH
LX
功能
启用/高侧漏。连接到高端N - FET漏极进行正常操作。悬空或
连接到GND的低功耗关断。
DDR参考输入。在DDR施加电压设置V
VTT
和V
VTTR
到1 / 2V
DDR
。 DDR电压范围
从0至3.6V 。
电源就绪输出。 POK为漏极开路输出为逻辑高电平时，无论VTT和VTTR都在12 ％
调节。 POK拉低关断模式。
VTT反馈输入。连接到VTT输出。
电流门限调节。从ILIM电阻连接到GND ，设置限流门限，
或连接ILIM至VL为默认设置。见
设置电流限制
部分。
频率选择。选择MAX1917的开关频率。见表1 FSEL的配置。
参考旁路。连接一个0.22μF或更大的电容， REF和GND。
地
VTTR基准电压输出。从VTTR连接一个1μF或更大的电容到地。 VTTR能够
源出和吸收高达25mA 。
输入电源电压。电源输入， VL调节器和VTTR调节器。旁路用0.22μF或
更大的电容。
内部稳压器输出。从VL连接一个2.2μF或更大的电容到地。 VL结构可以连接到
V + ，如果工作范围为4.5V至5.5V 。
低边MOSFET栅极驱动器。连接到低侧N-沟道MOSFET的栅极。
电源地
自举电源，以驱动高边n沟道MOSFET 。连接从一个0.47μF或更大的电容
BST到LX 。
高边MOSFET的栅极驱动。连接到高侧的N沟道MOSFET的栅极。
电感开关节点
8
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