跟踪，可吸入电流，同步buck
控制器，用于DDR存储器及端接电源
MAX1917
详细说明
内部线性稳压器（ VL ）
一个内部稳压器产生5V电源（ VL ）的
权力的PWM控制器， MOSFET驱动器，逻辑， REF-
erence ，并在IC中的其它块。这个5V低
差（LDO ）线性稳压器提供高达35mA的电流为
MOSFET栅极驱动器和外部负载。对于电源电压
4.5V和5.5V之间的年龄， VL连接到V + 。这
绕过所述VL调节器，从而提高了效率，
并允许所述集成电路的功能，在较低的输入电压。
f
S
=
t
ON
×
V
IN
+
I
O
(
R
DSONL
−
R
DSONH
)
0
.
5
×
V
DDR
+
I
O
(
R
DSONL
+
R
DC
)
(
)
×
10
3
千赫
导通时间单次触发和
开关频率
PWM的心脏是一出手就是设置高
准时侧开关。这种快速，低抖动，可调节的单
稳态电路能够在不同的时间内响应
到输入和输出电压。高侧开关
关于时间是反比于输入电压为
通过将EN / HSD输入测量，并直接成正比
佐丹奴国VTT输出电压。该算法的结果
尽管缺乏一个几乎恒定的开关频率
的一个固定频率的时钟发生器。该开关频率
昆西可以被选择，以避免噪声敏感区域
如455kHz IF带宽。此外，以恒定的
开关频率，电感纹波电流operat-
ING点保持相对恒定，从而容易
设计方法和可预测的输出电压纹波
PLE 。对时间（t通式
ON
）为：
V
t
ON
=
K
×
N
×
×
DDR
µ
s
V
HSD
2
1
其中，V
HSD
和V
DDR
是在测得的电压
EN / HSD和DDR ，分别和K = 1.7μs 。该
的N值取决于FSEL的结构，是
在表1中列出。
实际的开关频率，这是由给定的
下面的等式，稍有变化，由于电压降
横跨MOSFET和直流的导通电阻
输出电感器的电阻：
在那里我
O
是输出电流，R
DSONH
为导通电阻
高侧MOSFET ，R的tance
DSONL
是导通
低侧MOSFET的电阻，并且R
DC
是直流
输出电感器的电阻。上述方程是
仅当FSEL被连接到地。理想
开关频率为V
DDR
= 2.5V约为550kHz的。
的开关频率，这几乎是恒定的，
结果在相对恒定的电感纹波电流
不管输入电压和可预测的输出电压
纹波。此功能简化了设计方法。
开关频率增加为正（采购）
负载电流和减少负（下沉）负载
当前，以横跨的变化引起的压降
低侧MOSFET ，从而改变电感器电流
放电斜率。在时间上保证在
电气特性
表由也影响
切换引起的负载效应延迟
外部功率MOSFET。
VTTR参考
MAX1917的VTTR输出能够采购或
下沉至目前的25毫安。在V
TTR
输出电压
是电压的一半施加到DDR输入。
旁路VTTR与至少一个1.0μF电容器。
EN / HSD功能
为了减少引脚数和包的大小，所述
MAX1917具有双功能的输入引脚， EN / HSD 。
当EN / HSD连接到地，所述内部电路
cuitry关闭电源，减少电流消耗少
较典型5μA （图6电路） 。为了使正常
操作时，连接的EN / HSD到高侧的漏
MOSFET。如果EN / HSD不接地，它成为一个
输入，监视高侧MOSFET的漏极电压
（变换器输入电压） ，并使用该测量到
计算时间为转换器的合适。
因此， EN / HSD必须连接至该节点中
订购的控制器正常工作。
表1.配置FSEL的
FSEL连
TO
地
REF
漂浮的
VL
N
1.00
1.33
2.00
3.00
t
ON
(µs)
0.91
1.25
1.66
2.50
频率（kHz ）
550
400
300
200
条件
0.5V
DDR
/ V
HSD
= 0.5
0.5V
DDR
/ V
HSD
= 0.5
0.5V
DDR
/ V
HSD
= 0.5
0.5V
DDR
/ V
HSD
= 0.5
10
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