LT1158
手术
（参见原理图）
变为低电平的PWM操作，并且由电荷保持
泵时，高端MOSFET的DC 。受监管提升
驱动引脚1采用源代码引用的15V钳位
防止自举电容过度充电
不管V的
+
或输出瞬变。
该LT1158提供了一个电流检测比较器和故障
输出电路的保护上功率MOSFET 。该
比较器输入管脚11和12通常被连接
横跨顶部功率MOSFET的源极中的分路
（或到电流传感MOSFET） 。当引脚11是多
比低于V 1.2V
+
与V12 - V11超过仅为110mV
偏移量，
故障
5脚开始吸收电流。在短
电路中，反馈回路调节V12 - V11到150mV的，
从而限制了高端MOSFET的电流。
应用信息
功率MOSFET选择
由于LT1158本质上保护的顶部和底部
从同步MOSFET的导通，有没有大小
或匹配的约束。因此，选择可以使
根据工作电压和R
DS （ ON）
要求。
MOSFET的BV
DSS
至少应为2 •V
供应
和
应增加至3 •V
供应
在恶劣的环境
频繁的故障情况。对于LT1158最大
30V的MOSFET BV的工作电源
DSS
应
从60V到100V 。
MOSFET的ř
DS （ ON）
为特定网络版在T
J
= 25 ° C和根儿
盟友所拣选的基础上所需要的经营EF网络效率
只要MOSFET的最大结点温度是不
超标。在每个MOSFET的功耗由下式给出：
P = D
(
I
DS
)
(
1
+ ∂
)
R
DS
(
ON
)
2
以及可用的散热具有耐热性
20℃/ W，则MOSFET的结温为125 ℃，
和∂ = 0.007 （ 125 - 25 ） = 0.7 。这意味着，需要
R
DS （ ON）
MOSFET的将是0.089Ω / 1.7 = 0.0523Ω ，
其可以是SATIS网络连接通过一个IRFZ34编
注意，这些计算是为连续操作
条件;功率MOSFET可以承受远高于耗散
在瞬变系统蒸发散。进一步的开发
DS （ ON）
）约束
在启动高浪涌电流负载进行讨论。
GATE DR
LT1158
GATE FB
R
G
R
G
R
G
：可选的10Ω
其中，D为占空比和∂是增加R中
DS （ ON）
在预期的MOSFET的结温。由此
方程所需的R
DS （ ON）
可以推导出：
R
DS
(
ON
)
=
P
D
(
I
DS
)
(
1
+ ∂
)
2
1158 F01
图1.并联的MOSFET
并联的MOSFET
的MOSFET可以并联。 MOSFET的本质会
根据其研发共享电流
DS （ ON）
比。该
LT1158的顶部和底部驱动器可驱动每四个电源
并联的MOSFET ，只有很小的损失在开关
速度（见典型性能特性） 。 Indi-
维杜阿尔栅极电阻可能会被要求“脱钩”每
从它的邻居MOSFET ，以防止高频
振荡，请咨询制造商的建议。
例如，如果MOSFET损耗被限制在2W
当在图5A和一个90 ％的占空比操作，所需的
R
DS （ ON）
将是0.089Ω /（1 + ∂ ） 。 （1 + ∂ ）给出了
在归一化R的形式中，每个MOSFET的
DS （ ON）
vs
温度曲线，但∂ = 0.007 / ℃，可作为一个
近似低电压的MOSFET 。因此，如果T
A
= 85°C
1158fb
9
LINEAR_DIMENSIONS [ LINEAR DIMENSIONS SEMICONDUCTOR ]
