LT1158
测试电路
150Ω
2W
1
2
BOOST DR
V
+
BOOST
牛逼GATE DR
牛逼GATE FB
牛逼源
LT1158
SENSE
+
SENSE
–
16
+
15
14
13
12
11
100Ω
1μF
VN2222LL
+
V16
+
V
+
+
10μF
0.01μF
3
4
BIAS
启用
故障
输入
GND
B门FB
+
V14 – V13
3000pF
2k
1/2W
+
V4
3k
1/2W
V6
50Ω
5
6
7
8
关闭
环
+
V12
10
V
+
B GATE DR
9
3000pF
+
V11
+
V8
LT1158 TC01
手术
（参见原理图）
该LT1158的自我实现，通过对内部25μA上拉
使能引脚4，当4脚被拉低，很多的
输入逻辑被禁用，从而降低电源电流至2mA 。
与4脚为低电平时，输入状态被忽略，这两个MOSFET
门被主动拉低。与销4能够使一个或
其它的2个MOSFET的导通时，根据不同的
输入引脚6的状态：高对顶面和低
底侧上。在1.4V输入阈值调节和
具有滞后200mV的。
为了让工作在5V至30V标称电源
电压，内部偏置发生器被用来提供
恒定的偏置电压和电流。偏压发生器是
去耦引脚3 ，以消除开关任何影响
瞬变。
无直流负载允许引脚3 。
在LT1158的顶部和底部栅极驱动器的每个利用
两个栅极连接： 1）将栅极驱动销，其提供
导通和关断的电流通过一个可选的系列
栅极电阻; 2 ）栅极反馈引脚，连接
直接将其栅极连接到监控的栅极至源极电压
并提供直流栅极维持电流。
每当有引脚6时， LT1158的输入转换
遵循逻辑顺序来关闭一个MOSFET和转
另一方。首先，关断启动，则V
GS
是MONI-
tored直到它已降低到低于关闭阈值，
和音响应受另一门是打开的。一个输入锁存器得到
受逢低状态， 6脚复位，但如果只设置
顶源极引脚变为低电平，表示将有
在自举电容苏夫网络cient电荷安全地打开
在高端MOSFET 。
为了节省电源，栅极驱动器只提供
导通电流最多为2μs ，通过内部一次性设置
电路。每个驱动器LT1158可提供500毫安为2μs的，
或1000nC栅极电荷 - 绰绰有余开启
多个MOSFET并联。一旦接通，每个栅
召开由直流栅极电流保持高：底部
由一个100μA的电流源，并通过一个顶栅栅
片上电荷泵运行大约为500kHz 。
所述浮动电源的顶侧驱动器被设置
与升压引脚16和顶部的自举电容
源极引脚13.本电容充电，每次13针
1158fb
8
LINEAR_DIMENSIONS [ LINEAR DIMENSIONS SEMICONDUCTOR ]
