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CSD18511KCS

采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
局域网开关脉冲晶体管
0 TI

NTP125N65S3H

Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 24 A, 125 mΩ, TO-220
暂无信息
0 ONSEMI

FS75R12KT3

EconoPACK™2 1200 V, 75 A sixpack IGBT module with fast TRENCHSTOP™ IGBT3, Emitter Controlled  HE diode and NTC.
局域网双极性晶体管
0 INFINEON

NCV7750DPR2G

4 沟道低压侧继电器驱动器
驱动继电器驱动器
0 ONSEMI

GRM185B31A105KE35#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

MMBF5103

N沟道低频低噪声放大器
放大器PC开关光电二极管晶体管
0 ONSEMI

GJM0335C2A9R5BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

GCM1555C1H102FA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
3 MURATA

GQM2195G2H1R4CB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

IDK08G120C5

The  CoolSiC™ Schottky diodes generation 5 1200 V, 8 A is now available in a D2PAK real 2-pin package. Connecting SiC diodes in parallel and in a small device package, a high efficient system can be achieved while minimizing board space requirement. The elimination of the middle pin reduces a risk of partial discharge at high voltage and high frequency operation.
暂无信息
0 INFINEON

FDMS0310AS

N 沟道,PowerTrench® SyncFET™,30V,22A,4.3mΩ
暂无信息
0 ONSEMI

GRM216R11C273MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GQM2195G2H1R8CB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0225C1H330JA02#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCM1555C1HR47CA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
1 MURATA