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    GM71C4403CT-80 参数 Datasheet PDF下载

    GM71C4403CT-80图片预览
    型号： GM71C4403CT-80
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1,048,576字× 4BIT CMOS动态RAM [1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM]
    分类和应用： 内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 112 K
    品牌： LG [ LG SEMICON CO.,LTD. ]
     浏览型号GM71C4403CT-80的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GM71C4403CT-80的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GM71C4403CT-80的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM71C4403CT-80的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM71C4403CT-80的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM71C4403CT-80的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GM71C4403CT-80的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GM71C4403CT-80的Datasheet PDF文件第10页  
    LG的Semicon
    GM71C4403C
    18.要么吨
    RCH
    或T
    RRH
    必须得到满足。
    19. t
    RAS
    （分钟） - 吨
    RWD
    （ MIN ） + T
    RWL
    （ MIN ） + T
    T
    在读 - 修改 - 写周期。
    20. t
    CAS
    （分钟） - 吨
    CWD
    （ MIN ） + T
    CWL
    （ MIN ） + T
    T
    在读 - 修改 - 写周期。
    21. t
    关闭
    和T
    OFR
    由RAS或CAS的存货上升沿来确定。
    22. t
    CSH
    （分钟）就可以实现当t
    RCD
    < = T
    CSH
    （分钟） - 吨
    CAS
    （最小值） 。
    23. EDO高阻控制通过OE或WE 。 OE上升沿禁用数据输出。当OE为高电平
    CAS高时，数据不会出来，直到下一次CAS的访问。当我们变低
    CAS高时，数据不会出来，直到下一次CAS的访问。
    24. t
    HPC
    （分）可以在一系列EDO模式的写周期或EDO模式读取来实现
    周期。如果同时写入和读出操作被混合在一个EDO模式的RAS周期（EDO模式
    混合循环（ 1），（ 2））的CAS周期的最小值（叔
    CAS
    + t
    CP
    + 2t
    T
    ）变成大于
    特定网络编辑吨
    HPC
    的混合EDO模式CAS周期时间（min）价值。值示于
    EDO模式混合周期（ 1）和（ 2）。
    9

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