LG的Semicon
电容
(V
CC
= 5V +/- 10％ ，T
A
= 25C)
符号
C
I1
C
I2
C
I / O
¤
GM71C4403C
参数
输入电容（地址）
输入电容（时钟）
数据输入/输出电容（数据输入/输出）
民
-
-
-
最大
5
7
7
单位
§Ü
§Ü
§Ü
记
1
1
1, 2
注： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2. CAS = V
IH
禁用ð
OUT
.
AC特性
(V
CC
= 5V +/- 10％ ，T
A
= 0 〜 70℃ ，注意事项1， 14 ， 15 ， 16 ）
测试条件
输入电平： V
IL
=0V, V
IH
=3.0V
输入上升和下降时间： 2ns的
输入时序参考水平： V
IL
=0.8V, V
IH
=2.4V
输出时序参考水平： V
OL
=0.8V, V
OH
=2.0V
输出负载： 1 TTL门+ C
L
(100§Ü)
（包括范围和夹具）
读，写，读 - 修改 - 写和更新周期
（公用参数）
符号
参数
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
OE到D
IN
延迟时间
从D- OE延迟时间
IN
CAS建立时间从D-
IN
转换时间（上升和下降）
刷新周期
GM71C4403
C-60
GM71C4403
C-70
GM71C4403
C-80
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
104
40
-
-
124
50
-
-
144
60
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
记
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
ODD
t
DZO
t
DZC
t
T
t
REF
60
10,000
70
10,000
10
10,000
0
10
0
10
20
15
15
48
10
15
0
0
2
-
-
-
-
-
45
30
-
-
-
-
-
-
50
16
13
10,000
0
10
0
13
20
15
18
58
10
18
0
0
2
-
-
-
-
-
52
35
-
-
-
-
-
-
50
16
80
10,000
15
10,000
0
10
0
15
20
15
20
68
10
20
0
0
2
-
-
-
-
-
60
40
-
-
-
-
-
-
50
16
19
20
8
9
22
7
4
LG [ LG SEMICON CO.,LTD. ]
