稀土
导致-F GE
P A C K一纳秒
宾得嘞！
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AVAILA
GAL16LV8
低电压E
2
CMOS PLD
通用阵列逻辑™
特点
•高性能ê
2
CMOS
®
技术
- 3.5 ns的最大传播延迟
- 最大频率= 250 MHz的
- 2.5 ns最大时钟输入到数据输出
- UltraMOS
®
先进的CMOS技术
• 3.3V低电压16V8架构
- JEDEC兼容3.3V接口标准
- 5V兼容输入
- I / O接口方面采用标准5V TTL器件
(GAL16LV8C)
• ACTIVE PULL -UPS上的所有引脚（ GAL16LV8D只）
• E
2
电池技术
- 可重构逻辑
- 可编程细胞
- 100％测试/ 100 ％的收益率
- 高速电擦除（ <100ms ）
- 20年的数据保存
•八个输出逻辑宏单元
- 最大的灵活性，复杂的逻辑设计
- 可编程输出极性
•下载所有的寄存器和上电复位
- 100 ％的功能可测性
•应用程序包括：
- 胶逻辑的3.3V系统
- DMA控制
- 状态机控制
- 高速图形处理
- 标准逻辑速度提升
•用于识别电子签名
•无铅封装选项
功能框图
I / CLK
CLK
8
I
8
I
OLMC
I / O / Q
OLMC
I / O / Q
可编程
与阵
(64 X 32)
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
OLMC
I / O / Q
I
8
I
8
I
OLMC
OE
OLMC
I / O / Q
I / O / Q
I / OE
描述
该GAL16LV8D ，在3.5纳秒最大传播延迟时间，
提供了最高速度性能的PLD提供
市场。该GAL16LV8C可以在3.3V和5V接口
信号电平。该GAL16LV8使用莱迪思的制造
安森美半导体先进3.3V ê
2
CMOS工艺制造，其中的COM
bines与CMOS电可擦除（E
2
）浮栅技术。
高速擦写次数（ <100ms ）使器件可以被重现
编程快速，高效。
在3.3V GAL16LV8使用相同的行业标准16V8架构设计师用手工
tecture为5V对应，并支持所有的建筑特色
如组合或注册宏蜂窝操作。
独特的测试电路和可编程细胞允许完全的交流，
直流电，并且在制造过程中进行功能测试。其结果是，晶格
安森美半导体提供100％的现场可编程性和功能 -
先进而精湛的所有GAL的产品。此外， 100擦除/写周期，
在超过20年的数据保存指定。
引脚配置
PLCC
I
I
2
I
I
I
I
I
8
14
9
I
GND
11
I / OE I / O / Q
13
I / O / Q
6
4
I / CLK的Vcc
20
18
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
GAL16LV8
顶视图
16
I / O / Q
I / O / Q
I / O / Q
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2004年8月
16lv8_05
1
LATTICE [ LATTICE SEMICONDUCTOR ]
