DC and Switching Characteristics
LatticeECP2/M Family Data Sheet
Lattice Semiconductor
LatticeECP2/M External Switching Characteristics9 (Continued)
Over Recommended Operating Conditions
-7
-6
-5
Parameter
Description
Device
LFE2-6
Min.
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
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1.00
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1.80
1.90
1.90
2.00
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Max.
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Min.
1.20
1.20
1.20
1.20
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1.20
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1.20
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2.00
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Max.
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Min.
1.40
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1.40
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1.40
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1.40
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2.20
2.20
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2.20
2.20
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2.30
2.40
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0.00
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0.00
0.00
0.00
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0.00
Max.
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Units
ns
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ns
ns
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ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
LFE2-12
LFE2-20
LFE2-35
LFE2-50
LFE2-70
LFE2M20
LFE2M35
LFE2M50
LFE2M70
LFE2M100
LFE2-6
Clock to Data Hold - PIO Input
Register
t
t
t
HPLL
LFE2-12
LFE2-20
LFE2-35
LFE2-50
LFE2-70
LFE2M20
LFE2M35
LFE2M50
LFE2M70
LFE2M100
LFE2-6
Clock to Data Setup - PIO Input
Register with Data Input Delay
SU_DELPLL
LFE2-12
LFE2-20
LFE2-35
LFE2-50
LFE2-70
LFE2M20
LFE2M35
LFE2M50
LFE2M70
LFE2M100
Clock to Data Hold - PIO Input
Register with Input Data Delay
H_DELPLL
DDR I/O Pin Parameters2
t
t
t
t
f
Data Valid After DQS (DDR Read) ECP2/M
Data Hold After DQS (DDR Read) ECP2/M
Data Valid Before DQS (DDR Write) ECP2/M
—
0.225
—
—
0.225
—
—
0.225
—
UI
UI
DVADQ
DVEDQ
DQVBS
DQVAS
MAX_DDR
0.640
0.250
0.250
95
0.640
0.250
0.250
95
0.640
0.250
0.250
95
—
—
—
UI
Data Valid After DQS (DDR Write)
ECP2/M
ECP2/M
—
—
—
UI
DDR Clock Frequency6
200
166
133
MHz
DDR2 I/O Pin Parameters3
t
t
Data Valid After DQS (DDR Read) ECP2/M
Data Hold After DQS (DDR Read) ECP2/M
—
0.225
—
—
0.225
—
—
0.225
—
UI
UI
DVADQ
DVEDQ
0.640
0.640
0.640
3-23
LATTICE [ LATTICE SEMICONDUCTOR ]
