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2N5551 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N5551
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN Silicon Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 223 K
品牌: KODENSHI [ KODENSHI KOREA CORP. ]
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2N5551
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE (1)
h
FE (2)
h
FE (3)
V
CE(sat)(1)
*
V
CE(sat)(2)
*
V
BE(sat)(1)
*
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 120V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=1mA
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CE
= 5V ,我
C
=50mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
V
CE
= 10V ,我
C
=10mA
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分钟。典型值。马克斯。
180
160
6
-
-
80
80
30
-
-
-
-
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.5
1
1
400
6
250
-
-
-
100
100
单位
V
V
V
nA
nA
-
-
-
V
V
V
V
兆赫
pF
V
BE(sat)(2)
*
f
T
C
ob
*
:脉冲测试:脉冲宽度
≤300μs,
占空比
≤2.0%
KSD-T0A034-000
2