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    2N5551 参数 Datasheet PDF下载

    2N5551图片预览
    型号： 2N5551
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    内容描述： NPN硅晶体管 [NPN Silicon Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 223 K
    品牌： KODENSHI [ KODENSHI KOREA CORP. ]
     浏览型号2N5551的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N5551的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N5551的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N5551的Datasheet PDF文件第5页  
    2N5551
    NPN硅晶体管
    说明
    •
    通用扩增fi er
    •
    高电压应用
    引脚连接
    C
    特点
    •
    高集电极击穿电压：
    V
    CBO
    = 180V, V
    首席执行官
    = 160V
    •
    低集电极饱和电压：
    V
    CE （ SAT ）
    =0.5V(MAX.)
    •
    互补配对2N5401
    C
    B
    E
    B
    E
    TO-92
    订购信息
    型号
    2N5551
    记号
    2N5551
    封装代码
    TO-92
    绝对最大额定值
    特征
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    (Ta=25°C)
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    评级
    180
    160
    6
    600
    625
    150
    -55~150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    KSD-T0A034-000
    1

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