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    IRF630 参数 Datasheet PDF下载

    IRF630图片预览
    型号： IRF630
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩 [Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 5974 K
    品牌： KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
     浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第8页  
    IRF630 ， SiHF630
    1600
    I
    SD
    ，反向漏电流（ A）
    电容（pF）
    1200
    V
    GS
    = 0 V ， F = 1兆赫
    C
    国际空间站
    = C
    gs
    + C
    gd
    , C
    ds
    短
    C
    RSS
    = C
    gd
    C
    OSS
    = C
    ds
    + C
    gd
    C
    国际空间站
    10
    1
    150
    °
    C
    800
    C
    OSS
    400
    C
    RSS
    0
    10
    0
    10
    1
    25
    °
    C
    10
    0
    V
    GS
    = 0 V
    0.5
    91031_07
    0.7
    0.9
    1.1
    1.3
    1.5
    91031_05
    V
    DS ，
    漏极至源极电压（ V）
    V
    SD
    ，源极到漏极电压（V ）
    图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
    图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
    20
    V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    I
    D
    = 5.9 A
    V
    DS
    = 160 V
    10
    3
    5
    2
    在这一领域有限
    由R
    DS （ ON）
    16
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    V
    DS
    = 100 V
    12
    V
    DS
    = 40 V
    10
    2
    5
    2
    10
    µs
    100
    µs
    1
    ms
    10
    ms
    T
    C
    = 25
    °C
    T
    J
    = 150
    °C
    单脉冲
    0.1
    2
    5
    10
    5
    2
    8
    4
    测试电路
    见图13
    1
    5
    2
    0
    0
    91031_06
    10
    20
    30
    40
    50
    91031_08
    0.1
    1
    2
    5
    10
    2
    5
    10
    2
    2
    5
    10
    3
    2
    5
    10
    4
    Q
    G
    ，总栅极电荷（ NC）
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    图。 8 - 最高安全工作区
    图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
    www.kersemi.com

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