IRF630 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF630
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内容描述：	功率MOSFET动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩 [Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 5974 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

IRF630 ， SiHF630

功率MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

()

（最大值）（ NC ）

（ NC ）

CON组fi guration

= 10 V

7.0

单身

特点

200

0.40

•动态的dv / dt额定值

•额定重复性雪崩

•快速开关

•易于并联的

•简单的驱动要求

•符合RoHS指令2002/95 / EC

可用的

RoHS指令*

柔顺

描述

Vishay的第三代功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和

成本效益。

在TO- 220AB封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平，以约50瓦的低热阻

和TO- 220AB低封装成本有助于其

整个行业的广泛认可。

TO-220AB

N沟道MOSFET

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

SNPB

TO-220AB

IRF630PbF

SiHF630-E3

IRF630

SiHF630

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

线性降额因子

单脉冲雪崩

重复性雪崩

峰值二极管恢复

能源

= 25 °C

dv / dt的

, T

英镑

10秒

6-32或M3螺丝

重复性雪崩电流

能源

dv / dt的

最大功率耗散

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

安装力矩

在10 V

= 25 °C

= 100 °C

符号

极限

200

± 20

9.0

5.7

0.59

250

9.0

7.4

5.0

- 55至+ 150

300

1.1

W / ℃，

V / ns的

°C

磅力·中

N·m的

单位

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。

B 。 V

= 50 V ，起始物为

= 25 ° C，L = 4.6 mH的，R

= 25

,

= 9.0 A（见图12 ）。

C.我



9.0 A， di / dt的



120 A / μs的，V



, T



150 °C.

ð 。 1.6毫米的情况。

www.kersemi.com

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