R
JCS7N65B
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
数 值
项
目
符 号
单 位
Value
Parameter
Symbol
Unit
JCS7N65CB
JCS7N65FB
最高漏极－源极直流电压
VDSS
650
7.0
4.3
650
V
Drain-Source Voltage
ID
7.0*
A
连续漏极电流
T=25℃
T=100℃
Drain Current
-continuous
4.3*
A
最大脉冲漏极电流（注1）
Drain Current - pulse
最高栅源电压
IDM
30
30*
A
V
（note 1）
VGSS
EAS
IAR
±30
590
7.0
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩能量（注2）
mJ
A
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）
雪崩电流（注1）
Avalanche Current（note 1）
重复雪崩能量（注1）
EAR
dv/dt
14.0
4.5
mJ
Repetitive Avalanche Current（note 1）
二极管反向恢复最大电压变化速率（注3）
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）
V/ns
W
PD
142
48
TC=25℃
-Derate
above
25℃
耗散功率
Power Dissipation
1.14
0.38
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature
Range
TJ，TSTG
-55～+150
℃
℃
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
TL
300
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201103A
2/10
JSMC [ JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ]
