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IS61LV25616AL-10TLI 参数 Datasheet PDF下载

IS61LV25616AL-10TLI图片预览
型号: IS61LV25616AL-10TLI
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内容描述: 256K ×16高速异步静态CMOS与3.3V供电的RAM [256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY]
分类和应用:
文件页数/大小: 16 页 / 382 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS61LV25616AL
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
(LL)
Symbol
Parameter
Test Condition
V
Dr
V
DD
for Data Retention
See Data Retention Waveform
I
Dr
Data Retention Current
V
DD
= 2.0V, CE ≥ V
DD
– 0.2V
t
sDr
Data Retention Setup Time See Data Retention Waveform
t
rDr
Recovery Time
See Data Retention Waveform
Note 1:
Typical values are measured at V
DD
= 3.0V, T
a
= 25 c
and not 100% tested.
o
Options
Com.
Ind.
Min.
2.0
0
t
rc
Typ.
(1)
5
Max.
3.6
10
15
Unit
V
mA
ns
ns
DATA RETENTION WAVEFORM
(CE Controlled)
t
SDR
V
DD
1.65V
Data Retention Mode
t
RDR
1.4V
V
DR
CE
V
DD
- 0.2V
CE
GND
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. F
12/15/2011
11