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IS61LV12816L-10TLI 参数 Datasheet PDF下载

IS61LV12816L-10TLI图片预览
型号: IS61LV12816L-10TLI
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内容描述: 128K ×16高速CMOS静态RAM与3.3V电源 [128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY]
分类和应用:
文件页数/大小: 16 页 / 112 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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®
ISSI  
IS61LV12816L  
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS  
Symbol  
VDR  
Parameter  
Test Condition  
Options  
Min.  
Typ.(1)  
Max.  
Unit  
V
VDD for Data Retention  
Data Retention Current  
See Data Retention Waveform  
VDD = 2.0V, CE VDD – 0.2V  
2.0  
3.6  
IDR  
Com.  
Ind.  
0.7  
3
4
mA  
tSDR  
tRDR  
Data Retention Setup Time See Data Retention Waveform  
0
ns  
ns  
Recovery Time  
See Data Retention Waveform  
tRC  
O
Note 1: Typical values are measured at VDD = 3.3V, T  
A
= 25 C. Not 100% tested.  
DATA RETENTION WAVEFORM (CE Controlled)  
tSDR  
Data Retention Mode  
tRDR  
VDD  
VDR  
CE VDD - 0.2V  
CE  
GND  
12  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
Rev. F  
10/27/05