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    IC42S16160C-6TL 参数 Datasheet PDF下载

    IC42S16160C-6TL图片预览
    型号： IC42S16160C-6TL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54]
    分类和应用： 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 40 页 / 1538 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号IC42S16160C-6TL的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IC42S16160C-6TL的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IC42S16160C-6TL的Datasheet PDF文件第11页浏览型号IC42S16160C-6TL的Datasheet PDF文件第12页浏览型号IC42S16160C-6TL的Datasheet PDF文件第14页浏览型号IC42S16160C-6TL的Datasheet PDF文件第15页浏览型号IC42S16160C-6TL的Datasheet PDF文件第16页浏览型号IC42S16160C-6TL的Datasheet PDF文件第17页  
    IS42S83200C  
    IS42S16160C, IC42S16160C  
    Notes: 1. Illegal to bank in specified states; Function may be legal in the bank indicated by Bank Address (BA), depending on  
    the state of that bank.  
    2. Illegal if tRCD is not satisfied.  
    3. Illegal if tRAS is not satisfied.  
    4. Must satisfy burst interrupt condition.  
    5. Must satisfy bus contention, bus turn around, and/or write recovery requirements.  
    6. Must mask preceding data which don't satisfy tDPL.  
    7. Illegal if tRRD is not satisfied  
    Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com  
    13  
    Rev. 00D  
    05/29/08  

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