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IC42S16100E-6TL 参数 Datasheet PDF下载

IC42S16100E-6TL图片预览
型号: IC42S16100E-6TL
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内容描述: [Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-50]
分类和应用: 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 81 页 / 1082 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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IS42S16100E, IC42S16100E  
Write Cycle / Full Page  
T0  
T1  
T2  
T3  
T4  
T5  
T258  
T259  
T260  
T261  
T262  
CLK  
t
CHI  
tCKS  
tCL  
t
CK  
CKE  
CS  
t
t
CKA  
tCS  
CH  
t
CS  
tCH  
tCH  
tCH  
RAS  
t
t
CS  
CS  
CAS  
WE  
t
AS  
AS  
t
AH  
(1)  
COLUMN m  
ROW  
ROW  
A0-A9  
t
t
AH  
AH  
A10  
A11  
BANK 0 OR 1  
BANK 0  
NO PRE  
BANK 0  
t
t
AS  
BANK 0  
t
CH  
tCS  
DQM  
DQ  
t
DH  
tDS  
tDS  
t
DH  
tDS  
t
DH  
t
DS  
tDH  
D
IN 0m+2  
D
IN 0m  
D
IN 0m-1  
D
IN 0m  
D
IN 0m+1  
t
DPL  
tRCD  
t
RAS  
RC  
tRP  
t
<
BST
>  
<
PRE 0
>  
<
ACT 0  
>
<
WRIT0
>  
Undefined  
Don't Care  
CAS latency = 2, burst length = full page  
Note 1: A8,A9 = Don’t Care.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com  
47  
Rev. C  
01/22/08  
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