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2SD669A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD669A
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内容描述: 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 281 K
品牌: ISC [ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]
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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2SD669 2SD669A  
CHARACTERISTICS  
Tj=25unless otherwise specified  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
120  
160  
180  
180  
5
TYP.  
MAX  
UNIT  
2SD669  
2SD669A  
2SD669  
2SD669A  
Collector-emitter  
breakdown voltage  
V(BR)CEO  
IC=10mA; RBE=∞  
V
Collector-base  
breakdown voltage  
V(BR)CBO  
IC=1m A ;IE=0  
IE=1mA ;IC=0  
V
V(BR)EBO  
VCEsat  
VBE  
Emitter-base breakdown voltage  
V
V
Collector-emitter saturation voltage IC=0.5A ;IB=50mA  
1.0  
1.5  
10  
Base-emitter on voltage  
Collector cut-off current  
IC=150mA ; VCE=5V  
VCB=160V; IE=0  
V
ICBO  
μA  
2SD669  
60  
60  
30  
320  
200  
hFE-1  
DC current gain  
IC=150mA ; VCE=5V  
2SD669A  
hFE-2  
fT  
DC current gain  
IC=0.5A ; VCE=5V  
IC=150mA ; VCE=5V  
f=1MHz ; VCB=10V  
Transition frequency  
140  
14  
MHz  
pF  
COB  
Collector output capacitance  
‹ hFE Classifications  
hFE-1  
B
C
D
2SB649  
2SB649A  
60-120  
60-120  
100-200  
100-200  
160-320  
2