INA6006AP1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	INA6006AP1
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内容描述：	低频AMPLIFY申请PNP硅外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 169 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

INA6006AP1

低频AMPLIFY应用

PNP硅外延型

增益带宽积

与发射极电流

集电极输出电容科夫（PF ）

1000

集电极输出电容

与集电极 - 基极电压

100

Ta=25℃

f=1MHz

增益带宽积＆ frac12 ; T（ MH ＆ frac12 ; ）

Ta=25℃

VCE=-10V

100

0.1

100

发射极电流IE （＆ frac12 ; A ）

集电极输入电容

与基地发射极电压

集电极输入电容CIB （PF ）

-0.1

-1

-10

-100

集电极基极电压VCB （ V）

Ta=25℃

单脉冲

ASO

100

-1

集电极电流Ic （ A）

Ta=25℃

f=1MHz

100msec

ICMmax=-0.2A

ICmax=-0.1A

10msec

1msec

-0.1

1sec

-0.1

-1

发射器基极电压VEB （ V）

-10

-0.001

-0.01

-0.1

-1

-10

-100

VCEOmax=-150V

-0.01

DC(0.5W)

-1000

集电极到发射极电压VCE （ V）

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