<SMALL -SIGNAL TRANSISTOR>
INA6006AP1
低频AMPLIFY应用
PNP硅外延型
描述
INA6006AP1是硅PNP晶体管。
它被设计成高电压。
外形绘图
4.6最大
1.6
UNIT：½½
1.5
特征
·小包装，便于安装。
●高电压V
首席执行官
= -150V
·补充： INC6006AP1
0.8分钟
·低电压VCE （SAT） = -0.5V （ MAX ）
E
C
0.53
最大
B
4.2最大
2.5
0.4
0.48最大
应用
高电压开关。
1.5
3.0
マーキング
记号
端子连接器
電極接続
Ｅ:
E：发射器
エミッタ
Ｃ:
C：收藏家
コレクタ
Ｂ: ベース
B：基本
JEITA ： SC- 62
EIAJ ：SC- 62
JEDEC ： SOT- 89
JEDEC ：
JEDEC ： -
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
V
CBO
V
EBO
V
首席执行官
I
I
CM
C
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极到发射极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
结温
储存温度
等级
-160
-5
-150
-200
-100
500
＋150
-55½＋150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
记号
型号名称
Bé
W
LOT №
范围
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.8
P
C
T
j
T
英镑
h
FE
项
电气特性（Ta = 25℃）
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
½ＦＥ1
½ＦＥ2
½ＦＥ3
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
VBE （ON）的
fT
COB
参数
C到B击穿电压
E至B击穿电压
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
直流正向电流GAIN1
直流正向电流GAIN2
直流正向电流gain3
Ç到E饱和电压1
Ç到E饱和电压2
B到E饱和电压1
B到E饱和电压2
B至E的电压
增益带宽积
集电极输出电容
测试条件
I
C
=-100μA，I
E
=0mA
I
E
=-10μA，I
C
=0mA
I
C
=-1mA，R
BE
=∞
V
CB
=-120V，I
E
=0mA
V
EB
=-3V，I
C
=0mA
VCE=-5V，I
C
=-1mA
VCE=-5V，I
C
=-10mA
VCE=-5V，I
C
=-50mA
I
C
=-10mA，I
B
=-1mA
I
C
=-50mA，I
B
=-5mA
I
C
=-10mA，I
B
=-1mA
I
C
=-50mA，I
B
=-5mA
VCE=-5V，I
C
=-10mA
VCE=-10V，I
E
=10mA
VCB=-10V，I
E
=0mA，f=1MHz
民
-160
-5
-150
-
-
45
90
45
-
-
-
-
-
100
-
最大
-
-
-
-100
-100
-
270
-
-0.2
-0.5
-1.0
-1.0
-0.77
300
6
单位
V
V
V
nA
nA
-
-
-
V
V
V
V
V
兆赫
pF
谏早电子股份有限公司
ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
