2SA2193 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA2193
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内容描述：	低频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 56 K
品牌：	ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]

\u003c小信号晶体管\u003e

2SA2193

低频AMPLIFY应用

硅NPN外延型

共发射极输出

-70

集电极电流IC （MA ）

-60

-50

-40

-30

-20

-10

IB=-50μA

-0

-2

-4

-6

-8

集电极到发射极电压VCE （ V）

-10

-0

-0.0

-200μA

Ta=25℃

-250μA

-50

共发射极转移

Ta=25℃

VCE=-1V

-40

-30

-150μA

-100μA

-20

-10

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

基地发射极电压VBE （ V）

-1.0

正向直流电流增益

vs.collector电流

1000

正向直流电流增益hFE

Ç到E饱和电压

VCE （ SAT ）（MV ）

Ta=25℃

VCE=-1V

集电极 - 发射极饱和电压

vs.collector电流

-1000

Ta=25℃

IC/IB=10

100

-100

-0.1

-1

-10

集电极电流IC （MA ）

-100

-10

-0.1

-1

-10

集电极电流IC （MA ）

-100

增益带宽积VS.

发射极电流

增益带宽积英尺（兆赫）

集电极输出电容

COB （PF ）

集电极输出电容

vs.Collector基极电压

1000

Ta=25℃

VCE=-20V

Ta=25℃

IE=0

f=1MHz

100

发射极电流IE （毫安）

100

-0.1

-1

-10

集电极基极电压VCB （ V）

-100

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