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2SA2193 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SA2193
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内容描述: 低频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 56 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
 浏览型号2SA2193的Datasheet PDF文件第2页  
\u003c小信号晶体管\u003e
2SA2193
低频AMPLIFY应用
硅NPN外延型
描述
谏早2SA2193是密封的超小型封装树脂
硅PNP专为低频外延晶体管
电压放大应用。
外形绘图
2.1
0.425 1.25 0.425
1.30
单位:mm
特征
●低集电极到发射极饱和电压
VCE (SAT) = - 0.4V最大值( @ IC = -50mA , IB = -5mA )
·直流正向电流增益线性度极佳
·小packege便于安装
0.65
2.0
0.65
1
0.3
3
2
0.9 0.7
0.15
应用
对于小型机器的低频电压扩增
应用
0∼0.1
端子连接器
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
JEITA : SC- 70
JEDEC :
-
最大额定值(Ta = 25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度图
评级
-60
-40
-6.0
-200
150
+150
-55 ∼ +150
单位
V
V
V
mA
mW
型号名称
项目的hFE
记号
P
C
T
j
T
英镑
2
W
电气特性(Ta = 25℃)
符号
V
( BR ) CEO
I
I
CBO
EBO
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
Ç到E饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
测试条件
范围
典型值
最大
单位
V
-0.1
-0.1
μA
μA
mV
兆赫
5.0
pF
I
C
= -1mA ,R
BE
=∞
V
CB
= -60V ,我
E
=0mA
V
EB
= -6V ,我
C
=0mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-10mA
I
C
= -50mA ,我
B
=-5mA
V
CE
= -20V ,我
E
=10mA
V
CB
= -5V ,我
E
= 0毫安, F = 1MHz的
-40
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
100
250
300
-400