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INK0001AC1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: INK0001AC1
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内容描述: 硅N沟道MOSFET [Silicon N-channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 136 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS  
ID -VDS(Low voltage region)  
Ta=25℃  
ID -VDS  
Ta=25℃  
1.0V  
100  
1
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
1.6V  
1.5V  
0.95V  
80  
60  
40  
20  
1.4V  
1.3V  
0.9V  
1.2V  
0.85V  
1.1V  
VGS=1.0V  
VGS=0.8V  
0
0
5
10  
0
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
Drain-Source voltage VDS (V)  
Drain-Source voltage VDS (V)  
ID -VGS  
IDR -VDS  
100  
10  
1
1000  
100  
10  
Ta=25℃  
VDS=10V  
Ta=25℃  
VGS=0V  
1
-0  
-0.5  
-1  
-1.5  
-2  
0
1
2
3
4
5
Drain-Source voltage VDS (V)  
Gate-Source voltage VGS (V)  
|Yfs| - ID  
VDS(ON) - ID  
1000  
100  
10  
1000  
100  
10  
Ta=25℃  
VDS=10V  
Ta=25℃  
VGS=4V  
1
1
1
10  
100  
1000  
1
10  
Drain currentꢀID (mA)  
100  
Drain current ID (mA)  
t - ID  
C - VDS  
10000  
1000  
100  
10  
100  
Ta=25℃  
toff  
tf  
Ciss  
10  
Coss  
ton  
tr  
Ta=25℃  
VGS=0V  
1
1
0.1  
1
10  
Drain-Source voltage VDS (V)  
100  
0.1  
1 10  
Drain current ID (mA)  
100  
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION