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INJ0002AT2 参数 Datasheet PDF下载

INJ0002AT2图片预览
型号: INJ0002AT2
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内容描述: 硅P沟道MOSFET [Silicon P-channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 138 K
品牌: ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS  
ID -VDS  
ID -VDS(Low voltage region)  
Ta=25℃  
Ta=25℃  
-1.0V  
-100  
-1  
-0.8  
-0.6  
-0.4  
-0.2  
-0  
-1.9V  
-1.8V  
-0.95V  
-0.9V  
-0.85V  
-80  
-60  
-40  
-20  
-0  
-1.7V  
-1.6V  
VGS=-0.8V  
-1.5V  
-1.4V  
VGS=-1.3V  
-0  
-2  
-4  
-6  
-8  
-10  
-0  
-0.1  
-0.2  
-0.3  
-0.4  
-0.5  
Drain-Source voltage VDS (V)  
Drain-Source voltage VDS (V)  
IDR -VDS  
ID -VGS  
-100  
-10  
-1  
-1000  
-100  
-10  
Ta=25℃  
VDS=-10V  
Ta=25℃  
VGS=0V  
-1  
0
0.5  
1
1.5  
2
-0  
-1  
-2  
-3  
-4  
-5  
Drain-Source voltage VDS (V)  
Gate-Source voltage VGS (V)  
|Yfs| - ID  
VDS(ON) -ID  
-1000  
-100  
-10  
1000  
100  
10  
Ta=25℃  
VGS=-4V  
Ta=25℃  
VDS=-10V  
1
-1  
-1  
-10  
-100  
-1000  
-1  
-10  
-100  
Drain current ID (mA)  
Drain currentꢀID (mA)  
C - VDS  
t - ID  
10000  
1000  
100  
10  
100  
10  
1
Ta=25℃  
toff  
tf  
Ciss  
Coss  
ton  
tr  
Ta=25℃  
VGS=0V  
1
-0.1  
-1  
-10  
-100  
-0.1  
-1  
-10  
-100  
Drain current ID (mA)  
Drain-Source voltage VDS (V)  
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION