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    INC6006AS1 参数 Datasheet PDF下载

    INC6006AS1图片预览
    型号： INC6006AS1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低频AMPLIFY应用硅NPN外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 151 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号INC6006AS1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号INC6006AS1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号INC6006AS1的Datasheet PDF文件第4页  
    <SMALL-SIGNAL TRANSISTOR>
    PRELIMINARY
    Notice：This is not a final specification
    Some parametric are subject to change.
    INC6006AS1
    FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION
    SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
    COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE Cob (pF)
    1000
    GAIN BAND WIDTH PRODUCT
    VS. EMITTER CURRENT
    Ta=25℃
    VCE=10V
    COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE
    VS. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
    10
    Ta=25℃
    f=1MHz
    GAIN BAND WIDTH PRODUCT ½T (MH½)
    100
    10
    1
    0.1
    1
    10
    100
    EMITTER CURRENT IE (½A)
    1
    0.1
    1
    10
    100
    COLLECTOR TO BASE VOLTAGE VCB (V)
    EMITTER INPUT CAPACITANCE
    VS. BASE TO EMITTER VOLTAGE
    100
    EMITTER INTPUT CAPACITANCE Cib (pF)
    Ta=25℃
    f=1MHz
    10
    1
    0.1
    1
    EMITTER TO BASE VOLTAGE VEB (V)
    10
    ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION

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