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    INA5001AP1 参数 Datasheet PDF下载

    INA5001AP1图片预览
    型号： INA5001AP1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低频AMPLIFY申请PNP硅外延型 [FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 153 K
    品牌： ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
     浏览型号INA5001AP1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号INA5001AP1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号INA5001AP1的Datasheet PDF文件第4页  
    〈SMALL-SIGNAL TRANSISTOR〉
    INA5001AP1
    FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION
    SILICON PNP EPITAXIAL TYPE
    GAIN BAND WIDTH PRODUCT
    VS. EMITTER CURRENT
    1000
    Ta=25℃
    VCE=-2V
    COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE
    VS. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
    100
    COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE
    Cob (pF)
    Ta=25℃
    IE=0
    �½�=1MHz
    GAIN BAND WIDTH PRODUCT　�½�T (MH�½�)
    100
    10
    10
    1
    0.1
    1
    10
    100
    EMITTER CURRENT　IE (�½�A)
    Ta=25℃
    single pulse
    10
    ICMmax=-2A(less than 100msec）
    1000
    1
    -0.1
    -1
    -10
    COLLECTOR TO BASE VOLTAGE　VCB (V)
    -100
    ASO
    Collector current　IC (A)
    1
    ICmax=-1A
    PW=1msec
    10msec
    100msec
    DC(500mW)
    1sec
    0.1
    0.001
    -0.1
    -1
    -10
    -100
    COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE　VCE (V)
    ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
    VCEmax=-50V
    0.01

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