〈SMALL-SIGNAL TRANSISTOR〉
2SC5621
FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION
SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
直流電流増幅率−コレク
DC FORWARD CURRENT GAIN
VS. COLLECTOR CURRENT
Ta=25℃
VCE=5V
10
100
1
エミッタ接地伝達
COMMON EMITTER TRANSFER
100
Ta=25℃
VCE=5
1000
0.1
10
0.01
1
0.1
1
10
IC(mA)
100
COLLECTOR CURRENT
コレクタ電流 IC
0.001
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
BASE TO EMITTER VOLTAGE VBE(V)
ベース・エミッタ間電圧 V
利得帯域幅積−コレク
10.00
Ta=25℃
VCE=5
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
VS. COLLECTOR CURRENT
電力利得−コレクタ
POWER GAIN VS. COLLECTOR CURRENT
20.00
18.00
16.00
14.00
12.00
f=0.5GH
Ta=25
VCE=5
1.00
10.00
8.00
6.00
4.00
2.00
f=1.0GH
0.10
0.1
1.010.0
100.0
IC(mA)
COLLECTOR CURRENT
コレクタ電流 IC
0.00
0.11.010.0
100.0
COLLECTOR CURRENT
コレクタ電流 IC
IC(mA)
コレクタ出力容量−
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE
コレクタ・ベース間電圧特性
VS. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
10.0
Ta=25℃
IE
=0mA
f=1MHz
雑音指数−コレクタ電流特性
NOISE FIGURE VS. COLLECTOR CURRENT
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
Ta=25℃
V
CE
=5V
f=1.0GHz
1.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.1
0.1
1
10
100
(V)
コレクタ・ベース間電圧 V
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
CB
VCB(V)
0.0
1
10
コレクタ電流 I
COLLECTOR CURRENT
C
(mA)
IC(mA)
100
ISAHAYA [ ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ]
