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SI4410DYPBF 参数 Datasheet PDF下载

SI4410DYPBF图片预览
型号: SI4410DYPBF
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内容描述: HEXFET㈢Power MOSFET [HEXFET㈢Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 119 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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Si4410DYPbF
2400
2000
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ,
C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 10A
V
DS
= 24V
V
DS
= 15V
16
C,电容(pF )
1600
西塞
12
1200
科斯
800
8
400
4
CRSS
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
1
I
D
,漏电流( A)
100
10us
10
100us
1ms
0.1
0.4
V
GS
= 0 V
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
10ms
100
1000
V
SD
,源极到漏极电压(V )
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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