SI4410DYPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SI4410DYPBF
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	HEXFET㈢Power MOSFET [HEXFET㈢Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管
文件页数/大小：	8 页 / 119 K
品牌：	IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]

Si4410DYPbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

（ BR ） DSS

∆V

（ BR ） DSS

/∆T

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

分钟。

–––

1.0

–––

TYP 。 MAX 。单位

条件

––– –––

= 0V时，我

= 250µA

0.029 --- V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安

0.010 0.0135

= 10V ，我

= 10A

Ω

0.015 0.020

= 4.5V ，我

= 5.0A

––– –––

= V

, I

= 250µA

35 –––

= 15V ，我

= 10A

––– 1.0

= 30V, V

= 0V

µA

––– 25

= 30V, V

= 0V ，T

= 55°C

––– -100

= -20V

––– 100

= 20V

= 10A

5.4 –––

NC V

= 15V

6.5 –––

= 10V ，参照图10

11 –––

= 25V

7.7 –––

= 1.0A

38 –––

= 6.0Ω

44 –––

= 25Ω,

1585 –––

= 0V

739 –––

= 15V

106 –––

?? = 1.0MHz的，见图。 9

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（二极管传导）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

0.7

2.3

1.1

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= 2.3A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= 2.3A

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

起始物为

= 25℃时，L = 8.0mH

= 25Ω, I

= 10A 。（参见图15）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

当安装在FR4板，T

≤10

美国证券交易委员会

≤2.3A,

的di / dt

≤

130A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

≤

150°C

www.irf.com

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案