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    IRLML6402 参数 Datasheet PDF下载

    IRLML6402图片预览
    型号： IRLML6402
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 84 K
    品牌： IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
     浏览型号IRLML6402的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRLML6402的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRLML6402的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLML6402的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRLML6402的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRLML6402的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRLML6402的Datasheet PDF文件第8页  
    IRLML6402
    4.0
    25
    E
    AS
    ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
    20
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    3.0
    ID
    顶部
    -1.7A
    -3.0A
    BOTTOM -3.7A
    15
    2.0
    10
    1.0
    5
    0.0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    C
    ，外壳温度（ ° C）
    起始物为
    J
    ，结温（
    °
    C)
    图9 。
    最大漏极电流比。
    外壳温度
    图10 。
    最大雪崩能量
    与漏电流
    1000
    热响应（Z
    thJA
    )
    100
    D = 0.50
    0.20
    10
    0.10
    0.05
    0.02
    0.01
    1
    单脉冲
    （热反应）
    注意事项：
    1.负载因数D = T
    1
    / t
    2
    2.峰值牛逼
    J
    = P
    DM
    X Z
    thJA
    + T
    A
    0.1
    0.00001
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    P
    DM
    t
    1
    t
    2
    t
    1
    ，矩形脉冲持续时间（秒）
    图11 。
    最大有效瞬态热阻抗，结到环境
    www.irf.com
    5

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